中国在芯片制造领域面临美国出口管制的严峻挑战，无法从荷兰光刻机巨头阿斯麦（ASML）获得尖端的极紫外（EUV）光刻设备。这一重大障碍迫使该国最大的半导体代工厂只能利用深紫外（DUV）设备，采用多重图案化技术进行生产。然而，德国蔡司（Zeiss）首席执行官弗兰克·罗蒙德（Frank Rohmund）表示，从商业角度来看，这种方法难以为该地区的发展提供实质性推动。
蔡司首席执行官指出，从商业成熟度来看，中国在先进制程节点上的能力将停留在7nm；5nm虽有可能实现，但难度将显著增加。
政府制定的严格规定阻止了蔡司和阿斯麦等公司将极紫外光刻相关设备运往中国，这无疑将抑制该国未来的发展进程。就在台积电（TSMC）向着2nm制程生产全速冲刺之际，罗蒙德认为，中国的制造能力将局限于7nm节点，但该国仍抱有一线希望。
尽管罗蒙德表示，即便没有极紫外光刻机，中国也能通过深紫外设备并结合多重图案化技术来制造5nm级别的芯片，但显而易见的缺点是制造工艺复杂、良品率低以及成本高昂。这位蔡司首席执行官表示，这种方法只有在政府提供大规模补贴来支持这些项目时才具备可行性。
除此之外，中国的商业崛起将始终受限。他强调，极紫外光刻技术是维持全球竞争力的唯一更为健康的选择。以华为（Huawei）的麒麟9030芯片为例，该芯片采用中芯国际（SMIC）的7nm N+3工艺制造，其金属间距比英特尔（Intel）的18A工艺更紧密，并能与台积电使用极紫外技术制造的N6工艺相竞争。
即便如此，麒麟9030在性能和功耗方面仍然存在短板。苹果（Apple）的低功耗能效核心在性能上就能大幅超越其超大核心，而功耗仅需区区1瓦。华为声称其LogicFolding封装技术能在2031年前带来1.4nm级别的芯片组，但该公司将再次受到制造工艺复杂、良品率低和成本高昂等问题的制约。
早前有报道称，中国计划在2025年开始其自研极紫外光刻机的试生产，但此后再无下文，这些说法最终不了了之。我们逐渐认为，如果没有极紫外光刻设备，该地区的竞争差距将开始扩大，除非它能通过走私或其他任何非法手段找到规避美国出口管制的办法。
