三星（Samsung）预计将在本年代末开始大规模生产采用混合键合（Hybrid Bonding）技术的芯片，据韩国业内人士透露。混合键合技术通过去除制造高带宽内存（HBM）时各个DRAM层中的微型凸点，能够减小层间间距并提供更优的性能，因此被广泛认为是下一代HBM制造技术。
三星很可能为英伟达（NVIDIA）的Feynman AI芯片引入混合键合技术。英伟达的Feynman AI GPU将在Rubin Ultra芯片之后推出，英伟达在今年的GTC大会上已经透露了不少细节。其中，该公司表示这些GPU将采用3D堆叠技术，并选择英特尔（Intel）作为封装合作伙伴，同时使用定制的高带宽内存。鉴于Feynman的前代产品Rubin Ultra芯片预计将采用HBM4E内存芯片，因此最新的芯片可能会使用HBM5或某种与竞争对手有所区别的定制型号。
根据这些规格，近期有报道称，混合键合技术可能会从HBM4E内存芯片开始应用，而非更早的世代。如今，来自韩国媒体的报道也提出了类似观点，并指出三星认为，在2029年和2030年实现混合键合技术的大规模生产是可行的。
根据详细信息，三星正在从荷兰公司BE Semiconductor采购50台混合键合设备。由于三星需要对这些设备进行调整，而BE Semiconductor销售的是现成的设备，消息人士称，三星也有意从韩国本土公司采购相关机器。
更有趣的是，该报道还讨论了定制HBM芯片。报道指出，定制HBM将芯片上的基础芯片替换为客户逻辑芯片，作为3D系统级封装（SiP）架构的一部分。
至于混合键合设备，消息人士认为，三星将在今年年底前开始在其平泽（Pyeongtaek）工厂安装这些设备。据消息人士称，全面和大规模的生产预计将从2029年和2030年开始，也就是在英伟达的Feynman芯片即将问世的时候。
