三星此前曾表示，其Exynos 2700的开发进展顺利，这表明该公司第二款采用2纳米GAA（Gate-All-Around）工艺的移动芯片组将如期问世。考虑到我们将见识到这家韩国巨头在SF2基础上改进的SF2P节点的实际表现，预计在稳定性方面会有所提升。如果三星能在这方面超出预期，有传闻称这款旗舰级SoC的时钟频率有望突破4.00GHz的关口。
三星SF2P良率的成熟，是Exynos 2700达到更高时钟频率的必要条件，但实现更好的持续性能才是更优的目标。
Exynos 2600的最快核心频率最高可达3.90GHz，而三星在其2纳米GAA工艺上实现了60%的良率。对于Exynos 2700，消息源@phonefuturist认为，SF2P的良率在2026年下半年应能达到65-70%的区间。更高的良率与更高的时钟频率之间存在直接的正比关系，其根本在于半导体物理学原理。
随着稳定性的提升，三星可以获得更优的制造一致性，使晶体管能够干净利落地切换，信号传输延迟降至最低，漏电电流也相应减少，从而降低信号衰减的可能性。Exynos 2700超大核心的目标时钟频率为4.20GHz，但这可能需要略微提升电压，而这可能会不必要地增加热量和功耗。
如果良率不佳，增加的漏电电流会浪费能量，即便在较低频率下也会导致温度升高；反之，良率较高时，浪费的能量更少，从而为Exynos 2700的超大核心留下充足的热冗余空间，以达到更高的时钟频率。然而，我们倾向于认为，更高的良率在决定Exynos 2700实际性能表现方面只起到部分作用。
三星的薄弱环节一直是“不尽如人意的”良率，这很大程度上解释了为何Exynos 2600会遭遇过热问题，并在基准测试期间达到30W的峰值功耗。对于Exynos 2700而言，更高的时钟频率还将得益于不同的封装方式。三星据称将放弃片上封装内存方案，转而采用类似于苹果A20 Pro的WMCM（Wafer-Level Multi-Chip Module，晶圆级多芯片模块）技术，该技术被称为并列（Side-by-Side，SbS）架构。
再加上三星的热通阻块（Heat Pass Block）方法——其效果如同液氮冷却——Exynos 2700应该能获得足够的辅助，以达到三星期望的时钟频率。然而，达到一个特定目标与维持该目标是两个截然不同的目标。我们更希望看到的是持续性能的改善，而非仅仅维持前述的4.20GHz频率数秒钟时间。希望三星不会让我们失望。
