上周，台积电（TSMC）首席财务官黄仁昭（Wendell Huang）表示，公司正看到来自美国客户的强劲需求。这位高管是在这家台湾公司发布最新财报后发表上述言论的，财报同时还宣布了在美国追加1000亿美元的投资。黄仁昭指出，台积电在美国的3纳米工厂应在明年下半年投入运营，并补充说，在美国建设设施的成本高于台湾。
台积电首席财务官表示，美国晶圆厂的建设成本是台湾的4到5倍
台积电最新宣布的1000亿美元投资将扩大其在亚利桑那州（Arizona）的业务版图，并新建四座设施。在财报电话会议上，首席执行官魏哲家（C. C. Wei）讨论了这笔最新投资。这位首席执行官指出，公司客户对半导体和人工智能芯片的需求相当乐观。他还补充说，台积电在亚利桑那州的投资也将取决于市场状况。
在财报发布后接受美国消费者新闻与商业频道（CNBC）采访时，公司首席财务官黄仁昭分享了更多细节。与魏哲家一样，他强调公司目睹了多年的需求增长。他解释说，多年期的结构性需求增长是台积电增加在亚利桑那州投资的原因：
“但我们决定继续增加在亚利桑那州的投资，因为这是一个多年期的结构性需求增长。对我们来说，在亚利桑那州，我们做得非常好。我们对此非常满意。我们采用N4技术的第一阶段已经投产，其良率与台湾的本土晶圆厂一样好。采用N3技术的第二阶段将很快搬入设备。采用N2技术的第三阶段已经开始建设。第四阶段以及我们在美国的第一座先进封装工厂的准备工作也已开始。所以我们进展非常顺利，我们看到客户的强劲需求。我们也得到了美国政府的非常强力的支持。联邦、州、市一级，支持力度都非常大。因此，我们决定将在亚利桑那州的投资再增加1000亿美元。”
由于台积电最先进的芯片制造设施（即生产2纳米芯片的工厂）位于台湾，这位首席财务官也对亚利桑那州工厂的技术路线图发表了评论。
据路透社（Reuters）报道，黄仁昭还解释了背后的原因。他表示：“当量产最尖端技术时，研发和运营职能之间需要非常紧密的合作。这必须在台湾完成。等技术稳定后，我们才能考虑转移到海外。”
至于亚利桑那州的路线图，他评论道：
“我们预计采用3纳米技术的第二阶段将在2027年下半年投入运营，第三阶段和第四阶段将紧随其后。但正如你所说，这取决于市场状况和客户需求。目前，我们希望尽快推进。”
当谈及台积电在美国的投资时，台湾分析师提出的最紧迫的担忧之一是建设成本。虽然黄仁昭承认建设成本高昂，但他仍持乐观态度：
“海外扩张成本更高。在美国建设晶圆厂的成本是台湾的4到5倍。因此，海外晶圆厂会带来利润稀释。我给你举个例子。第一阶段从稀释开始，情况会改善，第一阶段的盈利能力会提高。虽然可能达不到台湾的水平，但会有所改善。然后第二阶段上线，第二阶段也会改善。但接着第三阶段又上线了。所以这就是为什么我们说，在2024年到2029年这五年间，稀释程度起初为每年2%到3%，然后扩大到每年3%到4%。这是因为规模越来越大。”
