DDR6内存预计将在2028至2029年间实现商业化，但中国内存制造商长鑫存储（CXMT）及其供应链已提前布局，力争在三星和SK海力士（SK hynix）牢牢掌控全球市场之前抢占先机。为确保从DDR5向DDR6平稳高效过渡，这家中国内存厂商已引入一家新制造商，该制造商正考虑采用面板级工艺来替代现有的DDR4和DDR5制造方法。
DDR6内存将采用多层设计，这对制造工艺提出了全面革新要求，但长鑫存储必须确保这不会对其良品率造成负面影响。在生产DDR4和DDR5时，长鑫存储无需采用复杂的制造流程，因为这两种标准仅需单层或低层数基板即可在保持良品率的同时完成生产。尽管该公司同速率的DDR5内存产品仍落后于SK海力士，但它正积极致力于推进DDR6的生产。
为了助力这一转型，ET News报道称，Haesung DS——长鑫存储供应链的最新成员，也是一家领先的封装基板制造商——已于2026年第一季度顺利通过了客户针对DDR5封装基板的最新质量认证测试。长鑫存储此前能够生产DDR4和DDR5，依靠的是一种成本低廉的“卷对卷”工艺。
对于DDR6内存，Haesung DS正推进一种新的面板工艺，该工艺可为下一代内存实现多层设计，从而在避免遇到技术瓶颈的同时维持生产效率。理论上，现有的卷对卷工艺也可用于DDR6制造，但随着电路层数增加，其盈利能力和效率都会下降，这使得面板工艺成为更稳妥的选择。
随着三星和SK海力士已经在开发DDR6内存，长鑫存储正在争分夺秒。不过，由于持续的DRAM短缺问题，长鑫存储的名字已开始在整个供应链中产生影响。在各家公司无法获得足够货源的背景下，长鑫存储的存在提供了一种喘息之机——这并非因为其技术实力有多强，而是因为它独有的市场地位能够为多家客户降低供应风险。
据报道，正在探索与这家中国制造商合作的苹果（Apple），据称已经开始测试其内存芯片。这应足以激励长鑫存储加快DDR6的研发进程。该报道并未明确指出这款中国产DRAM何时会进入量产，但我们不妨拭目以待。
