长鑫存储（CXMT）正准备在DRAM领域大举挑战“三大巨头”，加速推进其存储产品路线图。
昨日，长鑫存储（CXMT）在上海科创板（STAR Board）首次公开募股（IPO）86亿美元。尽管该公司估值约为800-850亿美元，远低于其竞争对手的1万亿美元估值，但它已准备好大举挑战“三大巨头”，其路线图涵盖多种产品，并制定了一项多年计划，旨在其间将产量翻两到三倍。
目前，长鑫存储的收入已超过长江存储（YMTC）、华邦电子（Winbond）和南亚科技（Nanya）等多个品牌。根据Counterpoint Research的收入趋势图，长鑫存储正在成为DRAM领域的主要竞争者，有望进入由三星（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）和美光（Micron）组成的“三大巨头”俱乐部。
Counterpoint Research研究副总裁尼尔·沙阿（Neil Shah）指出：“长鑫存储近期的市场份额增长、苹果（Apple）的游说、全球出口消费以及即将进入的HBM市场，共同构成了一个强劲的增长案例，此时机非常有趣。然而，美国加强出口管制带来的持续下行风险，以及尚未在规模化生产中验证的HBM技术，使得确定其与同行的公平估值变得具有挑战性。”
要进入那个层级，长鑫存储仍需占据市场收入约六分之一的份额。目前，该公司在全球DRAM比特产量中的份额为8%，而美光为24%，SK海力士为29%，三星为36%。同时，长鑫存储进入市场已导致三星的市场份额大幅下降，预计到2028年这一趋势将进一步加剧，届时长鑫存储预计将以11%的份额抢占市场。
长江存储和长鑫存储此前都宣布了一项“史诗级扩张”（EPIC Expansion）计划，涉及建设大型晶圆厂和生产线以扩大产能。初步计划是到2027年，将月晶圆产量从32万片提升至42万片；长期目标（2030-2035年）是进一步扩大产量，以推动下一波DRAM需求，并专注于前瞻性产品。这些设施将建在上海和北京，并在合肥建立一个新的集群。
该公司希望加速其LPDDR5和DDR5产品线，确保产量达到75%，同时推进HBM生产。但要做到这一点，长鑫存储必须克服各种限制，例如美国政府禁止先进光刻设备出口。该公司将不得不利用并开发VCT（垂直通道晶体管）和WoW（晶圆对晶圆）键合技术。
沙阿若有所思地说：“具有讽刺意味的是，实际上限制长鑫存储可能帮助它实现跨越式发展，领先于那些可能为了保护现有设备回报而延迟这类创新的现有企业。长鑫存储当然可以让这些同行大吃一惊，将出口管制限制转化为缩小差距的助推器。”
在其当前的路线图中，长鑫存储的目标是到2028年实现20亿美元的收入，同时提升其12层堆叠（12-Hi）HBM3 DRAM的产量。该产品预计将被华为（Huawei）、寒武纪（Cambricon）和壁仞科技（Biren Tech）等中国本土公司采用。如果一切按计划进行，长鑫存储将有潜力到2035年达到15%的市场门槛，尽管外部因素和来自“三大巨头”日益激烈的竞争将是其进入顶级梯队时需要考虑的关键因素。
