DFSX正致力于利用下一代3.5D“无限芯粒”架构和3D DRAM技术,为国内人工智能供应链提供动力。DFSX正致力于开发中国首款采用3D DRAM技术的DF1000人工智能加速器,同时还公布了3.5D+封装方案。

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DFSX近日举行了一场发布会,宣布推出中国首款完全采用国内供应链制造的3D人工智能芯片。其中有很多值得解读的细节,但核心产品是DF1000,这是一款软件定义的近内存计算人工智能加速器,将供应给国内人工智能和科技公司使用。

DF1000是中国首款采用3D DRAM、基于国内供应链制造的人工智能加速器。详细信息方面,DF1000芯片基于14nm工艺技术,拥有520 TFLOPsBF16算力。该芯片的主要亮点在于它采用了具备内存处理能力的3D DRAM

3D DRAM通过混合键合技术进行堆叠,并通过晶圆级堆叠提供更高的内存容量、带宽和密度。目前的数据显示,其内存访问带宽高达6.4 TB/s,扩展互连带宽为900 GB/s。该公司表示,与传统互连方案相比,使用混合键合技术可将互连间距从微米级压缩至亚微米级,从而提升互连密度和带宽密度,同时降低功耗。3D堆叠还将TSV数量提升了10倍,在同一容量下将带宽提升了5倍。这为HBM工艺提供了极佳的替代方案。

借助3D DRAMDFSX绕开了HBM内存墙以及对海外HBM供应链和更昂贵制造工艺的依赖,同时保留了更高的带宽和容量,并在成本上获得优势。

DF1000芯片的一些显著特点包括:

  • 软件定义的超高性能近内存计算3D芯片:基于“软件定义芯片”和“近内存计算”技术以及成熟的国内工艺,该芯片提供了高性能、高能效和高灵活性。

  • 基础软件和应用生态系统:构建独立开放的软件栈和工具链,为主流大模型的分布式训练和推理提供一站式解决方案。

  • 高性能服务器:提供可快速部署的高性能服务器,预装完整的软件栈,兼容主流深度学习框架和大规模应用。

DFSX并未公布太多性能数据,但内部评估显示其性能可与英伟达(NVIDIA)Hopper H200 GPU匹敌甚至超越。有趣的是,首批H200出货已在运往中国的路上。DF100提供的带宽是Hopper H100芯片的两倍,比H20033%。该芯片在Llama3 70B模型上可达到500 Tokens/s,而在DeepSeek-3.2上的TPOT记录为20ms

随着中国在先进封装和工艺技术上面临大规模限制,国内企业正在寻找利用成熟工艺技术(例如DF1000芯片使用的14nm)来加速人工智能发展的新方法。“无限芯粒”是DFSX对此问题的解决方案,这是一种3.5D+(多芯片3.5D堆叠封装)方案,利用了三个关键基础。首先是3.5D堆叠,用于取代数据存储结构,节省芯片面积,并在相同面积内提供更高带宽。其次是通过采用3D DRAM来切断HBM的使用,第三是通过充分利用排除HBM内存来增强I/O功耗特性。

在现已出货的DF1000之后,DFSX将于2027年初推出DF2000芯片,该芯片将提供1000 TFLOPsBF16算力、2000 TFLOPsFP8算力、4000 TFLOPsFP4算力、采用先进3D DRAM设计实现15 TB/s带宽、以及1600 GB/s的扩展互连带宽。DF2000加速器也将采用14nm工艺技术。

该公司还规划了DF3000,该产品将于2028年进入市场,提供DF2000两倍的算力:2000 TFLOPsBF164000 TFLOPsFP88000 TFLOPsFP420 TB/s带宽以及3200 GB/s的互连带宽。

预计DF2000人工智能加速器将超越英伟达(NVIDIA)Hopper GPU的性能水平,并能够达到Blackwell级别的性能,而DF3000据称将与英伟达(NVIDIA)Blackwell展开激烈竞争。

DF1000已在使用标准OAM 2.0接口的大规模机架和POD中部署。每个托盘包含多达8DF1000人工智能加速器,兆芯(Zhaoxin)也已与该公司合作,将其服务器芯片适配到该平台。主节点提供4.16 PFLOPsFP16算力、51.2 TB/s带宽、7200 GB/s的向上扩展带宽、3.2 Tbps的向外扩展带宽、12KW功耗以及一个120CPU。机架从64个起步,可扩展到512个的超大规模设计。


文章标签: #AI芯片 #DDRAM #国产化 #英伟达 #nm

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