美国银行（Bank of America）发布的一份重磅报告刚刚驳斥了新内存供应即将来临的谬论，SK海力士（SK hynix）到2028年可能只能实现其最初设想的约六分之一的产能增加。
据一位台湾内存芯片业内人士透露，三星（Samsung）和SK海力士在光州和全罗道的新大型晶圆厂可能至少要十年后才能完全投产。我们已知韩国总统李在明（Lee Jae-myung）希望到2030年将国家内存产能翻一番，并将三星和SK海力士在韩国西南部光州和全罗道建设的大型新晶圆厂作为支持其极度乐观目标的证据。
然而，一家韩国媒体刚刚援引美国银行（Bank of America）的近期分析，认为这些常见的数据是不现实的，尤其是在提议的时间框架内。
首先，考虑到因技术升级和工艺微缩导致老工厂关闭带来的产能减少，韩国每年仅能将其运营中的内存晶圆产能增加不到10%，这意味着到2030年的总产能增加将远低于总统设定的目标。事实上，据一位台湾内存芯片业内人士称，SK海力士到2028年可能只能增加其最初计划产能的六分之一。
其次，仅仅建设光州和全罗道的内存晶圆厂地基就需要大约五年时间，再需三到四年用于建设洁净室和安装必要的芯片制造设备。在这些地点建设完整的制造生态系统可能需要十年以上的时间。
这些延迟只会加剧针对三星、SK海力士和美光（Micron）的集体诉讼。与此同时，正如我们近期报道的，三星、SK海力士和美光于6月25日在加州联邦法院被集体起诉，指控其存在合谋和价格操纵行为。该诉讼旨在代表在近期价格飙升期间购买了包含普通DRAM产品的消费者和企业群体。
诉讼认为，三星、SK海力士和美光利用其在全球DRAM市场中的顶端地位，进行协调一致的“转向”，转向对AI至关重要的高带宽内存（HBM），并将这一战略调整作为借口，限制了如DDR3和DDR4等老一代内存格式的生产。
然而，如果SK海力士到2028年仅能增加其最初计划内存产能的六分之一，我们想不出任何能指望这种缓慢步伐在法庭诉讼中帮助所谓的“三巨头”的情景。
