特斯拉（Tesla）即将开始在其AI5芯片上利用三星（Samsung）的2nm工艺技术进行生产，此前该芯片已于四月份成功流片。三星和台积电（TSMC）将生产特斯拉的AI5芯片，其中前者将利用其2nm工艺能力。
上个月，埃隆·马斯克（Elon Musk）宣布其AI5 AI芯片成功流片。埃隆·马斯克分享了该芯片的图片，显示中间有一个巨大的主芯片，负责所有计算，外围有12个DRAM模块，提供高容量和效率优化的带宽。图片中的DRAM模块来自SK海力士（SK hynix），虽然DRAM SKU ID无法辨认，但我们可以看到该芯片是在2026年第13周流片的，即3月23日至3月29日之间。
据韩联社（Yonhap News）和The Guru的最新报道，AI5芯片将主要在美国德克萨斯州的泰勒工厂（Taylor Fab）采用三星的2nm工艺技术制造。该芯片在台积电工厂将使用何种工艺技术尚未确定，但三星2nm节点的利用给这家韩国半导体巨头的芯片制造事业带来了巨大推动，并为其备受争议的2nm制造能力带来了很大的信心。
据业内人士13日透露，三星代工（Samsung Foundry）的高级工程师金廷坤（Kim Jeong-gon）11日（当地时间）在其领英（LinkedIn）上发帖称：“特斯拉-三星 AI5芯片已进入流片阶段（设计完成并将蓝图移交给代工厂的阶段）。”他补充道：“该芯片计划在泰勒工厂使用2nm工艺生产，并将很快安装在特斯拉的最新产品中。”
AI5是HW4的后续产品，将作为特斯拉的下一代全自动驾驶（FSD）解决方案推出。在之前的演讲中，埃隆·马斯克表示，AI5将比HW4芯片提供巨大的40倍改进，原始计算能力提升8倍，内存提升9倍，并将带来全新的功能。该芯片本身预计将提供接近2500 TOPS的AI算力，每颗芯片144 GB内存，并在设计中考虑了最新的Transformer引擎（transformer engine）。
不仅如此，埃隆·马斯克此前还表示，解决AI5对特斯拉来说是一项生死攸关的任务，它将是一款非常强大的AI芯片和AI平台。AI5将提供多种配置，一种是单芯片系统（SoC）设计，可与英伟达（NVIDIA）的霍珀（Hopper）架构相媲美；另一种是双SoC设计，可与布莱克韦尔（Blackwell）架构相媲美，同时生产成本更低，功耗更少。因此，我们可以期待其在性价比和能效比上与英伟达最新AI产品一较高下。
该芯片预计将由台积电和三星制造，大规模生产计划于2026年底或2027年初进行。埃隆·马斯克已分享计划将下一代芯片生产转移到即将建成的TeraFab，但相关公告尚未发布。
与此同时，埃隆·马斯克还确认下一代特斯拉 AI6芯片和多约3号（Dojo3）的工作已经在进行中。自从特斯拉宣布在芯片制造业务中回归正轨以来，多约3号的计划已回到正轨。特斯拉已于2026年1月恢复了超级计算机项目的计划，随着TeraFab投入运营并在一体化设施中开发DRAM、封装和芯片，这一目标应该不会太遥远了。
