Furiosa AI正全力准备将其2nm“Stork”芯片的产量翻倍至50,000颗，旨在打破英伟达（NVIDIA）在推理领域的垄断地位。
Furiosa AI宣称其第三代“Stork”芯片采用2nm工艺，将拥有市场上最佳的推理能力，并计划于明年将其第二代芯片的产量翻倍，以打破英伟达的垄断。
早在5月，Furiosa AI便为其RNGD（Renegade）平台发布了名为Stork的第三代AI加速器芯片。该芯片基于博通（Broadcom）的2nm技术，这家初创公司声称，凭借领先的能效和最低的每词元成本，它将挑战英伟达。
据行业消息人士于13日透露，Furiosa AI计划在明年将其专门用于大语言模型推理的第二代芯片“Renegade（RNGD）”的产量大幅提升至40,000至50,000颗。这相较于今年20,000颗的产量增长了一倍多。这是这家韩国领先AI半导体公司明年的生产计划首次得到确认。
目前，采用2nm工艺的第三代芯片已进入量产，预计2026年将产出20,000颗。但Furiosa AI为其AI加速器制定了更宏大的计划，其中包括明年将芯片产量翻倍至4万至5万颗。该公司表示，AI推理需求的迅速激增是他们决定将产量翻倍的原因，基于近期的表现，他们预计需求将十分巨大。
Furiosa AI的Stork芯片——颠覆AI推理领域的2nm产品
随着智能体AI需求的持续高涨，下一代设计将全力聚焦AI推理领域。Furiosa AI的第三代AI加速器具备以下亮点：
该平台将2nm计算技术与HBM4/4E内存相结合，旨在于大规模AI计算集群中实现高带宽、机架级网络连接。
其架构针对要求严苛的推理工作负载进行了优化，专注于高带宽数据传输，能够提供比当前最高效的GPU更高的每瓦性能和更大的词元密度。
它基于Furiosa现已量产的当前一代RNGD芯片构建，客户包括三星SDS（Samsung SDS）和LG AI研究院（LG AI Research）。
根据Furiosa AI分享的部分细节，Stork AI芯片平台将采用先进的2nm计算芯片和HBM4/E内存标准。该公司正与博通合作，利用先进的封装能力，将多个硅芯片整合到一颗高性能的AI芯片中。
在预告图中，Furiosa AI展示了这款第三代AI芯片，它拥有12个HBM4/E内存位点、两个大型计算芯粒（2nm）和两个I/O控制器。如果Furiosa使用12-Hi、每堆栈36GB的内存模块，总容量将达到432GB。
除了计算架构，Furiosa AI还将利用博通的以太网和PCIe IP，从而在庞大的AI计算集群中实现更高带宽的机架级网络连接。该AI芯片针对训练后采样等要求严苛的现实世界AI工作负载进行了优化，高带宽是一个关键焦点，这也是该公司采用最新HBM4/E标准的原因。
该公司声称，其对带宽的侧重（而非GPU所需的线程管理）将有助于其提供比现代GPU设计更高的能效和更高的词元吞吐量。此外，该公司表示，其软件栈允许开发人员在满足吞吐量和延迟要求的同时，快速部署新的AI模型。
Furiosa的SDK利用通用编译器，自动将高级PyTorch代码映射到芯片上。对于需要更精细控制的开发人员，Furiosa的虚拟ISA提供了一种声明式编程模型，能够在没有传统GPU编程的非确定性复杂性的情况下提供硬件控制。
Furiosa联合创始人兼首席执行官六月白（June Paik）表示：“将博通的基础设施能力与Furiosa的张量收缩处理器架构及其行业定义的软件栈相结合，使我们能够超越芯片层面，为词元工厂时代提供全面的解决方案。”
在上市时间方面，Furiosa AI的第三代加速器预计将在2028年上半年开始提供样品，并将准备好满足下一代AI数据中心的计算需求。
