SK海力士（SK Hynix）首席执行官警告称，随着公司在时代广场庆祝其纳斯达克（Nasdaq）上市首秀，内存短缺问题将在2027年达到顶峰。
内存供应在2030年之后仍无明显缓解迹象，SK海力士指出2027年将成为短缺最严重的一年。
内存短缺已经席卷了科技行业的各个领域，如今似乎已成为常态。随着供应紧张局势持续，作为全球三大DRAM制造商之一的SK海力士首席执行官表示，内存市场的形势即将进一步恶化。
就在25年前，公司曾面临历史上最艰难的时刻——甚至一度濒临破产——但他们倾尽全力挺过了危机。那段岁月锻造出的韧性与决心，正是驱动今日SK海力士不断前行的力量。
自2012年起，公司加入SK集团，共同擘画未来。即便在高阶内存前景尚不明朗之时，SK海力士就已洞察到一项新技术的潜力——高带宽内存（HBM）——并成为全球首家将其变为现实的企业。
通过不懈的创新，HBM如今已屹立于人工智能革新的最前沿。
如今，依托在HBM、DRAM和NAND闪存领域的技术领导地位，SK海力士为全球人工智能基础设施提供了核心内存技术。
在庆祝SK海力士美国存托凭证（ADR）于纳斯达克上市首日的纪念活动上，首席执行官郭鲁正（Kwak Noh-jung）向路透社（Reuters）表示，内存行业将在明年（2027年）遭遇“有史以来最严重”的供应短缺。公司还预测，以当前市场需求来看，其产能将远远无法满足需求，且这种局面将持续到2030年之后。
郭鲁正说道：“我们预测，从供应角度来看，明年将是行业历史上最严峻的一年。”
SK海力士的这番言论与三星（Samsung）和美光（Micron）高管此前的表态不谋而合。三星已发出警告，称2027年将是短缺最严重的一年，且这一状况将持续到2028年及以后。与此同时，美光表示当前的短缺仅是“第一局”，DRAM和NAND闪存供应将持续紧张，未来几年他们仅能满足全球市场总需求的40%至50%。
来自AI客户的需求激增以及多年期的协议，进一步加剧了市场压力。三大DRAM制造商已经将重点转向HBM和低功耗双倍数据率存储器5X（LPDDR5X）等高端DRAM领域，而双倍数据率同步动态随机存取存储器5（DDR5）、DDR4和入门级低功耗双倍数据率随机存取存储器（LPDDR RAM）等普通内存则退居次要位置。
虽然这为SK海力士、美光和三星带来了利润增长，但也严重冲击了消费市场。消费市场正面临最为严峻的价格上涨，波及各类组件和平台，包括个人电脑（PC）、智能手机、游戏主机等。
对高端内存的聚焦也为中国的DRAM和NAND闪存制造商开辟了道路，使其能够全力扩产以满足国内客户的需求。例如，长鑫存储（CXMT）和长江存储（YMTC）正在将其产能翻倍。
与三星和美光类似，SK海力士也正着手制定一项耗资数十亿美元的多年扩张计划，在韩国各地兴建新的晶圆厂和设施。公司还在考虑于美国、日本和东南亚建设晶圆厂，不过最终方案尚未敲定。美光最近已启动其用于DRAM生产的新设施建设。
当SK海力士自豪地迎来其纳斯达克上市之时，其首席执行官的冷静预测无疑敲响了警钟：内存行业正步入迄今为止最具挑战性的篇章。2027年将迎来史上最严重的供应短缺，紧张状况很可能持续到2030年之后，AI热潮正在重塑整个半导体行业格局。
