随着混合键合技术因成为下一代内存芯片的首选粘合方式而登上新闻头条，一份来自韩国媒体的报道指出，联合电子设备工程委员会（JEDEC）放宽标准可能会导致三星（Samsung）和SK海力士（SK hynix）在HBM4内存中跳过这项技术。此前的标准规定下一代HBM内存厚度为900微米，但新标准可能意味着厚度放宽至1,000微米。
有关SK海力士对混合键合技术感兴趣的消息最早出现在4月，当时有报道称这家韩国公司已验证了一款采用混合键合技术的12层堆叠HBM芯片，并有望在其HBM4内存芯片中开始量产该技术。
混合键合技术的研发是为了应对下一代内存芯片的需求，这些芯片需要更多的DRAM层数。而传统的HBM芯片依赖热压键合，该技术在每颗DRAM芯片下方放置底部填充物和凸点，然后通过热量和压力将堆叠层粘合在一起。
根据今天的报道，援引自ZDNet的消息，三星和SK海力士可能会在HBM4芯片中跳过混合键合技术，转而从HBM4E开始采用该技术。
ZDNet重申了其早前的报道，称联合电子设备工程委员会（JEDEC）正在考虑提高HBM厚度标准，这是三星和SK海力士调整战略的原因。今年3月，该媒体曾报道该组织正考虑将HBM4堆叠的厚度定义从目前的775微米提高至825微米至900微米。在这份新报告中，它补充说，对于HBM5，厚度标准可能从目前的900微米放宽至1,000微米。报道还指出，由于NVIDIA等大客户推迟了对高堆叠HBM的需求，三星和SK海力士更有动力推迟该技术的引入。
ZDNet援引消息人士的话称，关于16层HBM堆叠的讨论并不活跃，因此即使是HBM4E产品也可能停留在12层。
与此同时，这两家公司有兴趣使用散热设备来获得混合键合技术提供的冷却优势。混合键合技术可以改善散热，因为它移除了充当隔热层的底部填充物。ZDNet的消息人士补充说，由于HBM5E的输入/输出端子数量增加，在芯片生产时必须使用混合键合技术。
