英特尔（Intel）的工艺技术路线图预计将推出14A节点的优化版本，采用双面架构。英特尔14A Gen2正被考虑用于对抗台积电（TSMC）和三星（Samsung）的1.4nm技术，提供改进的工艺成熟度与双面架构。
台积电和三星正在通过1.4nm产品升温代工领域。台积电将于明年投产其A14工厂，而三星则计划在2029年实现其1.4nm技术的大规模量产。与此同时，随着外部客户争相体验“芯片巨兽”焕然一新的代工与制造业务，英特尔计划在未来几年内推出其突破性的14A技术。
在这一切发生的同时，英特尔正在考虑更新其工艺技术路线图。这些更新主要为了应对与台积电和三星即将到来的对决。据ET News报道，在节点更新中，有一个全新的添加项，被称为14A2。这项新技术将是标准14A技术的优化版本。
英特尔14A采用PowerDirect，加入了背面供电网络（BSPDN）。14A2节点将采用双面架构，从正面和背面两侧进行供电。基础14A节点的M0线距将缩减至28nm，但14A2将进一步将线距尺寸减小至21nm。
据行业消息人士透露，英特尔曾计划将专用于背面供电网络（BSPDN）的PowerDirect技术应用于其基础1.4nm工艺14A；然而，据报道，该公司正在考虑为其后续的14A2工艺引入一种同时利用正面和背面供电的“双面”架构。
这将通过诸如双重曝光等改进来实现，这也带来了密度增益。14A已经准备提供30%的晶体管密度提升，因此我们可以预期14A2能带来进一步的密度提升。
虽然这将有助于利用高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻设备，提高每台机器的盈利能力，但21nm的线距尺寸也带来了一些复杂性，例如电阻的增加。纳米硅通孔（nTSV）也并非设计用来处理这些增加的密度。为此，据说英特尔采用了一种复合结构，该结构以BSPDN作为主要供电来源，同时也分配一部分给正面金属层。
随着计算和AI需求失控式增长，半导体公司正在全速运转。由于台积电被大量订单淹没，芯片制造商正在寻求其他代工厂，例如英特尔和三星。英特尔正乘着高度自信的浪潮，但他们仍需在半导体制造业务中证明很多，尤其是对其外部客户而言，而18A-P、14A以及现在的14A2等产品都备受瞩目。
