苹果目前正专注于将长鑫存储（CXMT）纳入其DRAM供应链，旨在降低短缺风险，而非寻求更具竞争力的价格。据估计，到明年，AI数据中心将占据超过六成的内存出货量。就在这家库比蒂诺巨头试图安抚态度强硬的特朗普政府之际，一份新报告披露了长鑫存储已开始研发一种新型DRAM，该产品能在使用较旧的DUV设备的同时，最大化性能与容量。
利用现有DUV设备研发“键合DRAM”，或将推动长鑫存储迈向新高度，因为其高密度内存有望引起苹果的浓厚兴趣。
据《韩国经济日报》（Korea Economic Daily）最新报道，该技术采用了“晶圆对晶圆混合键合（W2W Wafer-to-Wafer Hybrid Bonding）”，取代了传统的微凸点来连接DRAM芯片，转而依靠两片晶圆进行精确对准与熔合。长鑫存储显然正在其位于中国合肥的试验线上测试这项被称为“键合DRAM”的技术，其主要目标是实现高密度内存的大规模量产。
键合DRAM生产的另一个关键是将内存单元阵列与外围控制逻辑电路分离。由于这两部分位于不同的晶圆上，因此可以采用不同工艺进行制造，从而实现优化的结果。上述两项核心突破移除了传统的微凸点，这些微凸点通常会占用更多物理空间，并增加延迟和寄生电阻。
高密度DRAM通过缩短导线长度，在提升传输速度的同时降低了功耗，且无需增加内存芯片的横向尺寸。因此，键合DRAM将为iPhone的逻辑板节省宝贵的空间，为苹果增添更多组件、改善用户体验留出余地。
由于中国的技术加速发展受到美国制裁的阻碍，极紫外光刻（EUV）设备不可能进入其境内。幸运的是，长鑫存储不需要这类昂贵得离谱的设备。更重要的是，尽管三星（Samsung）和SK海力士（SK hynix）控制了全球大部分DRAM供应，但据该报道称，中国及其拥有的119项专利，有望在3至5年内缩小这一差距。
苹果与长鑫存储的合作可能恰逢其时。鉴于iPhone制造商经常“预订”台积电（TSMC）的下一代晶圆出货，苹果或许也能对长鑫存储采取同样的策略，凭借其巨大的订单量优势，在竞争对手之前获得高密度DRAM的货源。面对这家加州巨头的大额订单，长鑫存储很可能别无选择，只能顺从这位潜在的最有利可图的客户。
尽管最后一块拼图是获得特朗普政府的许可，但苹果与长鑫存储仍有可能发展出一段繁荣的合作关系。然而，我们不能过于乐观。重要的是需谨记，这家中国制造商目前仅处于研发阶段，这意味着这种高密度DRAM可能需要数年才能进入量产。此外，这项技术也有可能无法满足苹果严格的质量要求，而被彻底否决。
简而言之，其中存在着大量我们尚未考虑在内的变数，因此我们最好退后一步，稍作喘息，耐心等待双方之间真正合作关系的建立。
