经过来自英伟达、谷歌、博通、台积电、SK海力士等顶尖公司的400多名工程师联手打造，一家新创公司已崭露头角——它就是Etched。Etched正式公开亮相，推出其Frontier Inference Clusters，并成功完成A0试产（A0 tapeout），目前已签约价值超过10亿美元的AI合同。
我们正式走出隐身模式。在成功完成A0试产、获得超过10亿美元的客户合同并筹集8亿美元资金后，我们已组装出首批机架。早期客户测试显示，我们在推理工作负载上实现了业界领先的吞吐量、延迟和能效。首批机架将于今年夏天发货。——Etched（@Etched），2026年6月30日
这是一家专为前沿模型协同设计芯片、机架、软件及先进制造方法的新兴AI公司。该公司承诺在预填充和解码工作负载上均提供一流的吞吐量、延迟、成本和能效，并且已有首款硅片作为佐证。
如今，Etched正式官宣，并宣布其首款A0硅片已成功试产。实际上，该试产已于今年早些时候在台积电的N4P工艺上完成，此后他们一直忙于验证首款机架级产品，该产品已获得超过10亿美元的AI客户需求。该公司通过四轮未公开融资已筹集8亿美元，其中包括来自VentureTech Alliance的战略投资，目前正致力于深化和扩大与领先半导体公司的合作伙伴关系。
VLI处理器在仅需现有AI芯片一半电压的情况下，即可实现80%的峰值FLOPS输出。在基础设施方面，Etched计划应对前沿模型，包括数万亿参数的混合专家模型（MoE）、长上下文和智能体AI工作负载。为此，该公司不得不研发一系列新型芯片、封装、PCB、冷板、互连等。
首先是一款面向高吞吐量工作负载的低压推理（LVI）芯片。这款芯片采用全新架构，能以大多数AI芯片一半的电压进行数学运算。通过这种方法，Etched解决了大多数AI芯片在满电压模式下因功耗增加导致降频，进而使峰值FLOPS不到一半的持续性能问题。
第二部分是面向低延迟工作负载的集群级内存（CSM）。我们看到业界正从HBM转向大规模SRAM块以实现更快的解码速度，但SRAM芯片在FLOPS吞吐量和内存容量方面表现不佳。Etched的CSM方案是一种低延迟共享内存池产品，通过保留高带宽互连实现更快速的内存访问。这种HBM与SRAM的混合方案兼顾了内存容量和内存延迟，同时成本更低、可靠性更高、良率更好、热特性更优。
总体而言，Etched在早期客户测试中，针对推理工作负载实现了业界领先的吞吐量、延迟和能效。其VLI处理器能够以80%的峰值FLOPS运行万亿参数稀疏MoE，且不会出现热降频。
目前，Etched正以前所未有的速度扩大生产规模，已在办公室内建成一座2MW数据中心，并在台湾开设一家工厂用于全天候工程研发。该公司承诺今年夏天将带来更多关于性能和路线图的更新。
