三星电子（Samsung Electronics）与SK海力士（SK Hynix）宣布了一项价值数十亿美元的扩张计划，用于在韩国发展人工智能和芯片制造。
韩国最大的科技企业三星电子和SK海力士投入超过1,350万亿韩元用于重大扩张计划，以积极与台积电（TSMC）和英特尔（Intel）等竞争对手展开较量。这项扩张计划将为期10年，耗资约1,350万亿韩元（约合8,700亿美元）。计划不仅涵盖半导体制造，还包括开发全新的AI数据中心、电池和显示面板制造工厂，以及针对半导体的EUV、刻蚀、光掩模、CMP和沉积设备。
韩国政府牵头推动了由三星电子和SK海力士主导的史上最大规模半导体投资，目标是在五年内将内存产量翻倍，并大幅扩建DRAM和NAND闪存工厂，此举在全球内存市场掀起波澜。面对韩国制造商的涌入，台湾内存制造商已将警戒级别提升至最高。
SK海力士计划向清州（Cheongju）生产基地投入400万亿韩元，而西南地区将投入100万亿韩元，用于建设全新的生产集群。据The Elec报道，在这条10年路线图中，两家公司计划在忠清南道和忠清北道地区建造4-5座最先进的芯片制造设施。忠清地区本身也将为这一半导体制造中心贡献约100万亿韩元。
此次扩张也是持续提升内存产量的一部分，目前内存产能正面临严重短缺。DRAM产量已计划在五年内翻倍，韩国政府已制定计划，将这些半导体枢纽的建设进度提前12年。根据此前的计划，这些工厂原定于2040年之后上线，而现在目标定为2033年，这是一个巨大的变化，充分显示了韩国半导体企业在应对AI计算需求（加速器、DRAM和NAND）持续增长等挑战时的积极性。
三星电子和SK海力士创纪录的扩张计划，标志着韩国半导体行业的一个转折点，表明其意图主导全球芯片和AI格局。通过投入超过1,350万亿韩元用于新建晶圆厂、AI数据中心和先进内存生产，并将时间表提前近十年，韩国不仅是在解决DRAM和NAND的严重短缺问题，更是在将自己定位为台积电和英特尔的强大竞争对手。这一由政府支持的大胆举措，展示了韩国确保下一代计算领导地位并重塑全球内存市场未来的决心。
