IBM日前发布了一项令人瞩目的技术成果——0.7纳米芯片工艺，使其成为首家公开宣布制造工艺突破1纳米技术节点的公司。该公司称，这项技术能让指甲盖大小的芯片区域容纳多达1000亿个晶体管。为实现这一目标，该技术依赖于IBM的纳米堆叠技术（nanostack technology），该技术以纳米片为基础进行芯片制造。
IBM表示，与2021年发布的2纳米芯片相比，0.7纳米芯片的晶体管密度几乎翻了一番。当时，该公司首次在制造工艺中采用了纳米片技术。IBM指出，相比当时最先进的7纳米工艺，2纳米工艺的性能可提升最高45%，或功耗降低最高75%。
在芯片制造领域，纳米片技术并非全新发展。IBM发布公告一个月后，台湾的台积电（TSMC）也讨论了其纳米片技术。在一次研讨会上，台积电研发高级副总裁米玉杰博士（Dr. Yuh Jier Mii）指出，该公司已通过新型纳米片晶体管成功降低了电压变化。这位高管表示，其团队“展示的纳米片晶体管，其Vt变化在图中以蓝色显示，比性能非常优异的FinFET晶体管（以红色显示）降低了超过15%”。
作为0.7纳米技术公告的一部分，IBM声称纳米堆叠技术是对纳米片技术的升级。该公司指出，顾名思义，纳米堆叠技术是将晶体管垂直堆叠，然后交错排列。该公司称，这种设计方法实现了3D集成，从而能在芯片上封装更多晶体管。此外，该公司还表示，“纳米堆叠架构已通过CMOS集成中的超薄介电键合技术得到实验验证”，这种键合需要晶体管的精确定位。
与2纳米芯片相比，0.7纳米芯片的能效可提高70%，或性能提升50%。IBM还表示，通过采用0.7纳米（7A）制造技术，一颗AI芯片的性能可从当前的4,500 TOPS提升至每秒9,000万亿次操作，从而将训练时间从三个月缩短至数周。
该公司还分享了关于如何制造其纳米堆叠晶体管的更多细节。IBM表示，他们成功开发出“一种将两个晶圆键合以创建新型多层结构的新技术”，从而制造出能推动下一代计算机芯片发展的3D晶体管。
