高通即将推出其面向AI数据中心市场的突破性技术——HBC（高带宽计算，High-Bandwidth Compute），旨在打破内存瓶颈。高通的HBC是一种内存加速器，堆叠在DRAM之下，相比标准的SRAM和HBM配置，能提供显著性能提升。
在2026年投资者日上，高通在其蜻蜓（Dragonfly）品牌下发布了HBC。这项创新技术旨在大幅提升内存容量和带宽。HBC架构部署了一种专用且近内存的解决方案，通过3D堆叠芯片设计，将计算与增强的内存带宽结合在一起。借此，高通希望解决困扰科技行业的内存瓶颈问题。
目前，HBM是AI计算加速器的首选方案，但由于功耗持续攀升导致token成本更高，进而推高总拥有成本（TCO），其效率正在降低。高通声称，通过HBC，新架构可降低每token的能量输入，提高内存带宽，并降低TCO。该架构建立在四个基础之上：3D集成领导力、系统级设计、LPDDR领导力以及能效专长。
那么HBC是如何工作的呢？实际上，HBC加速器位于LPDDR堆叠之下。之所以选择LPDDR，是因为其容量更大。LPDDR堆叠将通过硅通孔（TSV，Through-Silicon Vias）与HBC加速器互连。
在第一代即HBC Gen1方案中，该方案将应用于即将推出的AI250加速芯片，HBC增强的LPDDR堆叠将与芯片放置在同一个2D有机基板上。每个AI250加速器每张卡将提供133 TB/s的带宽，是使用LPDDR5X的AI200的18倍。
在竞争层面，HBC有望提供比HBM高6倍的每瓦带宽，以及比SRAM高200倍的每瓦容量。高通将与供应链中的战略合作伙伴合作，解决当今AI面临的最大瓶颈——内存容量、内存带宽和TCO。
第一代HBC Gen1方案搭配AI250 AI加速器，预计将于2027年年中推出。高通还在制定扩展路线图，并展示了计划于2028年推出的第二代HBC Gen2方案。该方案将搭配AI300 AI加速器，相比AI200，有效带宽最高可提升54倍，每瓦带宽比HBM提高7倍。
