三星的下一代固态硬盘NAND闪存将提供超过900层，通过将两个堆栈键合在一起，实现更高的存储容量。
三星（Samsung）希望将两个NAND单元键合在一起，为未来的固态硬盘打造900-1000+层的大容量存储解决方案。上个月，我们曾报道三星正在使用全新材料和键合技术研发1000层NAND。在2026年VLSI研讨会（VLSI Symposium 2026）上，三星公布了实现这一目标的完整计划。
在最新幻灯片中，三星指出市场对高容量固态硬盘有巨大需求，他们正致力于加速路线图，重点是增加每个NAND芯片可容纳的层数。目前，NAND制造商已进入400层时代，并计划到2030年左右将层数扩展到1000层，以满足高容量应用需求。
2029年前，三星的目标是实现420层NAND解决方案，到2030年达到超过560层。然后在下一个十年之初，三星计划将层数翻倍，推出超过1000层的解决方案。翻倍层数会带来翘曲和成本方面的问题，但三星已经在研究解决方案。这家NAND制造商声称已成功通过翘曲控制技术确定了未来设计，新工艺还能实现先进的重叠修正，并为进一步改进留出空间。
为了实现惊人的900层V-NAND，三星需要克服几个障碍，其中晶圆翘曲是主要问题之一。但通过引入上夹持设计，这一问题已得到解决。其他修正包括使用“重叠修正”技术解决对准误差。
目前，SK海力士（SK Hynix）处于领先地位，它是首家开发并提供321层NAND技术的公司。400层NAND的工作已经展开，三星将采用垂直键合工艺，而SK海力士将使用混合键合技术。
三星正在为2030年及以后的900L+ NAND进行研发。这意味着，一块8 TB的QLC M.2固态硬盘未来可能变成32 TB的容量。来自MoreThanMoore的伊恩·卡特勒斯博士（Dr. Ian Cutress）表示，借助这种方案，一块8 TB的QLC固态硬盘可以提供高达32 TB的容量。
与此同时，中国的长江存储（YMTC，Yangtze Memory Technologies Co）也在加速其NAND计划。该公司已经提供294层和232层NAND设备，正在缩小与三星、SK海力士和美光（Micron）等境外公司的差距。长江存储还在大力投资新的晶圆厂，这些工厂将使其当前晶圆产出能力翻倍——恰逢市场因AI超级周期面临显著的供需缺口之际。
这种通过堆叠方式实现900+层NAND的方案仍处于原型阶段，但它为未来的存储扩展铺平了道路。1000层V-NAND目前计划于2030年推出，而400+层的产品将在未来几年内陆续问世。
