台积电（TSMC）正积极推进CoPoS（板上芯片封装）技术，以替代现有的CoWoS（晶圆上芯片封装），满足日益增长的算力需求，而玻璃核心基板正成为其中的关键环节。
随着AI与计算需求的持续攀升，下一代封装技术势在必行。英特尔（Intel）与台积电都在为此积极备战，而玻璃核心基板将成为它们未来技术路线图中的重要组成部分。
据《电子时报》报道，台积电正加速推进CoPoS技术以取代CoWoS。为实现这一目标，玻璃核心基板扮演了重要角色，这也是这家半导体巨头加快该技术开发与量产时间表的原因。
台积电正全力推动CoPoS并加快其生态系统建设。为突破CoWoS现有的物理极限，玻璃核心基板加速量产良率的能力至关重要。台积电的合作厂商正积极开发玻璃核心基板及CoPoS工艺设备的关键技术，力争在AI芯片先进封装领域占据领先地位。
CoPoS相较于CoWoS的优势显而易见。采用更大的方形或矩形晶圆（或面板）能够产出更多的芯片和内存模组，而CoWoS则受限于圆形晶圆设计。标准CoWoS晶圆尺寸约为300mm，而CoPoS晶圆尺寸则可达750x620mm。这不仅允许更大的计算芯片，还能实现更高的产量，每单位面积成本降低20-30%。
结合先进的封装解决方案，面板级封装能够实现大规模的多芯片封装。在成本方面，用玻璃替代硅基材料，也确保了高产量和成本效益的生产。首条CoPoS试产线已经建立，专家指出，采用玻璃核心基板的CoPoS对于弥合下一代高端芯片的供需缺口至关重要。
郭明錤（Ming-Chi Kuo）在2026年6月11日发布的推文中总结道，CoPoS预计将在2028年下半年进入量产，旨在优化超大型封装的经济性。
台积电计划在明年实现CoPoS晶圆的量产，试产将于2027年开始，量产目标定在2028年。而采用玻璃核心基板的CoPoS则计划在2030年之后实现。台积电亚利桑那州工厂预计将在2029年至2030年间的CoPoS生产中发挥重要作用。
与此同时，台积电还计划将玻璃基板技术应用于CoWoS。这项技术目前正在研发中，可带来降低成本、提高芯片利用率等多项改进。台积电正与揖斐电（Ibiden）及群创光电（Innolux）合作开发其玻璃核心基板技术，该技术将采用三层结构设计，将玻璃核心夹在两层ABF基板之间。
CoPoS采用面板级封装，将圆形转变为方形，可以显著提高材料利用率，从原先12英寸圆形晶圆的不足70%提升至90%以上，从而解决2028年后超大规模AI芯片因光掩模尺寸最大化而导致的几何浪费和成本飙升问题。
这些时间表与英特尔及其合作伙伴此前透露的信息相符。安靠科技（Amkor）此前曾表示，英特尔的玻璃基板技术将在三年内实现商业化，并且已经展示了采用共封装光学技术的先进面板级解决方案。英特尔正着眼于将其位于里奥兰乔（Rio Rancho）的工厂打造成这些玻璃核心基板封装技术的生产“皇冠上的明珠”。
展望未来，台积电与英特尔将成为玻璃核心基板领域的两大主要玩家。英特尔晶圆代工业务在先进封装解决方案上的成功，已赢得一些大客户的青睐，例如其EMIB技术就已获得广泛采用。随着在玻璃核心技术领域的加速布局，英特尔将成为代工业务中的佼佼者。
此外，有报道指出，AMD将成为台积电扇出型面板级封装技术及1.4nm制程的关键客户，用于其面向消费级市场的Zen 7系列产品。对FOPLP和CoPoS的采用将不仅限于客户端应用，还将在AI和计算导向的数据中心市场中扮演更重要的角色。
