如今，ASML已是妇孺皆知的公司，它是全球唯一能够制造极紫外光（EUV）光刻机的供应商。随着超大规模企业持续激进地扩张算力，我们在黄仁勋的五层AI蛋糕模型的几乎每一层都不断发现新的瓶颈，甚至深入到由一家味精制造商供应的绝缘薄膜。然而，尽管新的瓶颈层出不穷，AI扩张过程中始终存在一个关键性的制约因素：领先晶圆厂在尖端制程节点上生产晶圆的能力。
换言之，这个瓶颈就是EUV产能，因为所有7纳米以下的制程节点都需要EUV光刻技术。在代工方面，提高EUV工具的运行时间和利用率可以增加产出，但仅限于一定限度。由于每年制造的设备数量有限——而代工厂又争相确保分配——在我们进入超大规模时代之际，EUV瓶颈问题似乎一如既往地严峻。ASML自然意识到这一点，因此历来将高数值孔径（High-NA）视为EUV的下一步发展方向。
这项技术能够在无需多次曝光的情况下印制更小的特征，从而显著降低制程节点持续微缩的复杂性。英特尔（Intel）是最早（也是最激进）的采用者之一，并发现从0.33 NA EUV（视为低数值孔径）转向0.55 高数值孔径 EUV，可以将曝光次数从3次减少到1次，同时掩模工艺步骤数也相应减少。
ASML的高数值孔径之路正迅速逼近量产
首台0.55 NA光刻机——具体型号为EXE：5000——于2023年第四季度出货，几乎又过了一年，直到2024年第三季度才在其上曝光了第一片晶圆。该机器产能可达110 晶圆/小时（WpH），而其后续机型EXE：5200B于2025年第四季度首次交付客户，产能可达175 晶圆/小时（使用2025年公布的1000W激光源）。
生产也已达到重要里程碑，于2025年12月实现了50万片高数值孔径晶圆的产出。尽管我们为高数值孔径技术的实现等待了很长时间，但随着代工厂现已深入生产认证阶段，量产（HVM）似乎已近在咫尺。
“总而言之，我们看到通往量产的道路正在稳步推进，客户通过5000和5200b机型所取得的成果构建了非常良好的势头。”——克里斯·德·鲁伊特（Chris De Ruiter），ASML（2026年SPIE国际光学与EUV光刻大会）
迈向超数值孔径
继0.55 高数值孔径之后，ASML近期推出了下一步：超数值孔径（Hyper-NA）。超数值孔径 EUV定义为数值孔径 > 0.75，将能够在A7节点（预计2033年左右实现量产）之后进一步向下微缩。为保持单次图形化方案的可行性，必须在2030年代后半期左右进一步提高数值孔径。
“那么，这张图告诉我们的是，如果你看一下微缩路线图的预测或预期，并结合所示的不确定性，那么我们很可能需要在下一个十年的后半期迈出下一步。”——乔斯·本肖普（Jos Benschop），ASML（2026年SPIE国际光学与EUV光刻大会）
幸运的是，与高数值孔径相比，超数值孔径不需要大幅增大光学元件尺寸。这使得ASML能够沿用高数值孔径所引入的高性能平台（机器型号以EXE：命名）。
如上图所示，增加数值孔径可以在光刻过程中减少掩模步骤的数量，这也带来了能耗的降低。因此，尽管超数值孔径无疑会推高工具成本（正如高数值孔径所做的那样），但最终它将变得可负担，从而推动EUV的未来发展，并随之推动半导体的未来。
