SK海力士（SK Hynix）已开始向其下一代HBM4E内存提供样品，该内存最高支持16 Gbps速度和48 GB容量。SK海力士在率先推出用于下一代AI解决方案的HBM4E DRAM模块方面与三星（Samsung）展开竞争。人工智能领域的加速发展促使DRAM制造商加快开发计划。因此，SK海力士正在与其竞争对手三星赛跑，率先向合作伙伴交付HBM4E内存解决方案，这些合作伙伴将用其驱动下一代数据中心。
HBM4E内存将在下一代数据中心中发挥关键作用，因为它将为一些重量级芯片提供动力，包括英伟达Rubin Ultra（NVIDIA Rubin Ultra）和AMD Instinct MI500。这两大芯片平台预计将在人工智能领域带来巨额收入，DRAM制造商正为此提供大力支持。
SK海力士的样品出货始于2026年Computex结束仅几周后。在此次展会上，该公司展示了同款HBM4E内存，最高容量达48 GB，速度达16 Gbps。三星也在展会上展示了其自有HBM4E和HBM5技术，并搭配HPB（Heat Path Block）。
以下是各代HBM内存规格对比（转换为列表形式）：
HBM4E（48GB，12-Hi）：容量48GB、堆叠高度12-Hi、芯片密度提升1.5倍、每引脚带宽3.2 Gbps（+50%）、内存带宽1.5 TB/s、I/O通道x1024、电压1.2V、能效密度提升1.5倍
HBM4（峰值规格，48GB，16-Hi）：容量48GB、堆叠高度16-Hi、芯片密度每核心裸片+33%、每引脚带宽最高16 Gbps、内存带宽更高（AI工作负载）、I/O通道x2048、电压1.2V、能效提升+40%、工艺节点台积电N3E（TSMC N3E）
HBM3E（36GB，12-Hi）：容量36GB、堆叠高度12-Hi、每引脚带宽1.2 Gbps（+20%）、内存带宽1.2 TB/s、I/O通道x1024、电压1.2V、能效提升+10%
官方新闻稿：SK海力士今日宣布，已向主要客户发运了用于AI的下一代DRAM——HBM4E样品。
SK海力士表示：“得益于我们在HBM开发和生产方面的先进经验，公司能够按计划交付12层堆叠的HBM4E样品。”并补充道，“我们将与合作伙伴紧密合作，及时实现量产。”
12层HBM4E在性能和能效方面均有所提升。该产品每引脚最大数据处理速度为16 Gbps，能效较前代产品提升超过20%。这些改进增强了AI训练和推理的数据处理能力。
HBM4E通过最新接口和设计优化降低了数据传输延迟，同时在高带宽环境下保持稳定运行。这使得客户能够提高AI数据中心和大型计算系统的数据处理效率。
SK海力士在HBM4E产品中采用了先进MR-MUF（Advanced MR-MUF）技术，在12层堆叠中实现48 GB容量，同时确保结构稳定性。与上一代HBM4相比，该公司还将耐热性能提升了17%，使内存芯片在高性能计算环境中能够稳定运行。
基于在HBM3、HBM3E和HBM4量产与供应方面的专业经验，SK海力士已成功向客户提供优化的内存解决方案。凭借市场验证的产品可靠性和供应能力，该公司将支持下一代基础设施的开发，同时帮助解决AI系统瓶颈问题。
