韩国芯片制造商三星（Samsung）正在准备生产其下一代1d DRAM技术。1d制造技术是业界最新的DRAM工艺，相当于美光（Micron）的1-delta节点。目前，三星正与其制造合作伙伴讨论下一代RAM的设备计划，为最早在2027年末启动量产做准备。
据行业消息来源透露，三星正在与其合作伙伴共同开发用于下一代DRAM生产的设备。该公司最新的DRAM芯片目前采用1c RAM技术制造，这是以水平格式制造存储芯片的最高端技术。1c技术广泛依赖极紫外（EUV）光刻技术和金属栅极，以充分利用其在逻辑芯片制造领域的经验。
消息人士称，三星计划最早在2027年第二季度将下一代内存芯片的制造设备引入其工厂。如果该公司能够实现这一激进的时间表，这些设备有望在2027年下半年生产出先进的芯片。
1d DRAM标志着对传统技术的根本性转变，因为它首次采用了电容器的垂直堆叠。这种方法与之前将存储单元并排放置的世代截然不同。此外，通过为外围电路使用不同的晶圆，并将其与存储单元电路的晶圆集成，这一过程的复杂性进一步增加。
随着三星计划在2026年上半年引入1d DRAM生产设备，这些芯片有望在2026年下半年进入量产。消息人士补充称，该公司应在2026年底之前敲定量产计划。
在人工智能时代，内存在全球半导体供应链中的重要性日益凸显。AI芯片需要高性能的高带宽内存（HBM），这种内存通过堆叠DRAM芯片制造而成。三星的1c DRAM被用于最新一代的HBM4内存中，业界消息人士认为，1d芯片可能成为下一代HBM5E芯片的一部分。三星倾向于不将旧一代DRAM芯片用于HBM，而是将其1c内存与采用4纳米工艺技术制造的内部晶圆裸片配对。
