智能手机紧凑的内部空间使得采用高带宽内存（HBM）变得困难，更不用说散热问题了。但有传闻称，中国智能手机品牌已定制了低延迟宽DRAM（LLW），该技术采用了与前述技术类似的集成设计。虽然这种设计并非“真正的HBM”，但它旨在解决LPDDR内存的性能瓶颈问题，从而在更低功耗下实现巨大的性能提升。
最新传闻称，中国智能手机制造商小米（Xiaomi）和华为（Huawei）计划在2027年下半年引入LLW。来自微博爆料人士定焦数码的最新消息称，中国智能手机制造商在2026年引入更快内存的希望不大，但声称2027年下半年在这方面更有希望。由于无法使用HBM，智能手机的端侧AI能力受到限制，而这正是LLW旨在解决的问题。
该传闻称，LLW能提供1.5倍的性能，同时将功耗降低50%。不过，该传闻并未明确这些数据是与哪种内存标准进行对比，因此我们假设是与LPDDR5X对比。虽然智能手机芯片组完全有可能配备速度更快的神经网络处理单元和能实现巨大速度提升的闪存，但DRAM方面仍是需要彻底创新的领域，手机才能真正实现端侧AI功能。
此前有传闻称，华为正在为智能手机开发HBM DRAM，而苹果（Apple）也计划将这项技术引入其iPhone 20。至于为手机研发专用HBM，三星（Samsung）似乎是唯一一家致力于通过复杂封装将这项技术带给大众的公司。不过，还有其他方法可以提升智能手机的性能，以增强AI体验。
有传闻称，高通（Qualcomm）正在与中国内存制造商合作，将其3D DRAM引入其NPU，以彻底改变芯片组技术。这些方案能否及时落地，目前还无法预知，但我们将持续为读者带来最新动态。
