AMD最新推出的AGESA 1.3.0.1b BIOS固件提供了更好的DDR5内存支持和比以往版本更低的电压。

各大主板厂商正在为其600系列800系列芯片组产品推出最新AGESA 1.3.0.1b BIOS固件。该BIOS的主要特点是支持AMD EXPO ULL(超低延迟)技术,该技术于2026年台北国际电脑展(Computex 2026)上发布。华硕(ASUS)技嘉(Gigabyte)微星(MSI)率先推出了最新BIOS,正如一位Chiphell用户指出的那样,它带来了多项优势。

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一位Chiphell论坛用户在微星MPG X670E Carbon主板上使用了AMD Ryzen 7 7800X3D处理器,并搭配两条16 GB DDR5-6000 CL30内存模组。该用户在同块主板上测试了三个AMD AGESA BIOS固件版本:1.0.0.61.2.0.0a1.3.0.1b

测试结果如下:

  • AGESA 1.0.0.6:SOC电压1.35V,FCLK 2133 MHz,DRAM电压1.43V,VDDQ电压1.43V,VDDIO电压1.43V,CPU PPT 96W,CPU最高温度88–89°C,水温30–31°C,内存延迟58.7ns。

  • AGESA 1.2.0.0a:SOC电压1.29V,FCLK 2133 MHz,DRAM电压1.43V,VDDQ电压1.43V,VDDIO电压1.39V,CPU PPT 94W,CPU最高温度79–79.8°C,水温30–31°C,内存延迟58.7ns。

  • AGESA 1.3.0.1b:SOC电压1.24V,FCLK 2200 MHz,DRAM电压1.40V,VDDQ电压1.40V,VDDIO电压1.26V,CPU PPT 93W,CPU最高温度77–78°C,水温30–31°C,内存延迟60ns。

在同一套内存配置下,AGESA 1.3.0.1b表现最佳,以1.24V电压运行(对比1.2.0.0a的1.29V和1.0.0.6的1.35V)。内存能够维持2200 MHz的FCLK(此前版本为2133 MHz),且整体电压较低。该用户还提到,启用FCLK VDCI模式可以提升读写速度,仅增加1ns延迟。

由于该内存基于海力士A-Die(Hynix A-Die),它能够支持更好的超频性能,在1.4V电压下可达7200 MT/s(CL34时序)。测试在SOC电压1.24V、FCLK 2133 MHz、VDDIO 1.26V条件下进行。通过测试的配置包括:

  • 6400CL30-38-38-76,1.4V TIGHTER

  • 6600CL34-40-40-105,1.4V TIGHTER

  • 6800CL32-45-45-108,1.4V TIGHTER

  • 7200CL34-45-45-115,1.4V TIGHTER

另一个值得注意的点是,在运行最新AGESA 1.3.0.1b BIOS时,Ryzen处理器的温度大幅降低至77–78°C,而1.2.0.0a版本为79–80°C,1.0.0.6版本为88–89°C。另一用户在使用微星MAG X870 Tomahawk WIFI主板和Ryzen 7 9700X处理器时也复现了相同结果,他报告新BIOS使其DDR5-6400 CL30内存套件获得了更低的电压。

因此,基于这些结果,即使没有AMD EXPO ULL内存的用户也能从最新的AGESA 1.3.0.1 BIOS版本中受益,包括更低的电压、更低的CPU温度和更好的时钟频率。最棒的是,该BIOS可用于所有AMD AM5主板,但部分厂商重点面向X670X870等高端系列。


文章标签: #AMD #BIOS #DDR #Ryzen #性能优化

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