SK海力士（SK Hynix）预计将在2026年底开始大规模生产其375层NAND闪存解决方案，从而提供更高的存储容量。SK海力士计划今年推出375层NAND，未来还有480层和604层产品跟进。
SK海力士和三星（Samsung）在NAND闪存领域的层数竞赛中激烈角逐。虽然三星的目标是通过双堆叠方案突破400层，并最终达到1000层，但SK海力士很快将开始其375层NAND的大规模生产。
据The Elec的消息源报道，SK海力士已完成其375层NAND解决方案的验证，并即将在其工厂内推动该方案的大规模生产。生产将利用现有工厂进行，这些工厂将进行改造以支持新的NAND工艺。目前，这些工厂正在生产321层V9 NAND闪存解决方案。
报道称，SK海力士内部将375层NAND称为“400层产品”。决定削减多余层数是因为在芯片中堆叠大量层时遇到了障碍。SK海力士正在研发未来的产品，如480层和604层NAND，但这些产品需要采用不同的方法。
“曾被称为400层级NAND的产品已修订为375层，”一位行业消息人士表示。“路线图随后将延伸至480层和604层产品。”
这种方法涉及用钼（Molybdenum）取代目前的钨（Tungsten）薄膜。新材料将有助于解决使用钨时遇到的信号传输问题，因为随着线路连接变窄，钨无法承受高电阻。钼具有更好的电阻特性，并且三星已经在使用。三星预计也将在今年优化其NAND工艺，推出首批400层V-NAND产品。
存储需求的增长也意味着NAND制造商预计将获得可观的收入。但同时，他们需要采购大量材料才能开始量产。钼的需求将急剧上升。三星去年购买了4吨这种材料，今年迄今为止已购买了10吨，而SK海力士预计将消耗约4吨。总需求预计将在2027年上升至25吨，2028年达40吨，2029年达60吨，到2030年更是将达到惊人的80吨。
