根据多份供应链报告聚焦英特尔（Intel）的EMIB-T芯片封装技术，分析师郭明錤（Ming-Chi Kuo）透露，台积电（TSMC）的下一代封装技术CoPoS将于2028年进入量产。CoPoS是“芯片-面板-基板”的缩写，旨在克服当前CoWoS（芯片-晶圆-基板）封装技术的限制，通过增大AI芯片上GPU、内存等芯片的安装面积来实现突破。
台积电的CoPoS封装技术将使用玻璃芯夹在ABF（味之素堆积膜）之间作为基板，分析师指出。随着AI芯片需求持续高涨，而台湾的台积电仍是高端芯片的唯一供应商，多份供应链报告都讨论了英特尔的EMIB-T封装技术。封装AI芯片涉及将GPU、内存等不同组件组装成一个单元，甚至有报道称英伟达（NVIDIA）正在测试英特尔的技术，用于其下一代Feynman AI芯片。
现在，郭明錤认为Feynman也可能是台积电下一代封装技术CoPoS的首批采用者。台积电目前依靠CoWoS封装来满足高端AI芯片公司的需求，其中CoWoS的硅中介层充当AI芯片GPU与内存之间高性能信号传输的通道。
分析师澄清了关于台积电CoPoS技术的主要误解。该分析师称，CoPoS将于2028年下半年进入量产，这比最初报道的时间更早。首批采用者之一将是英伟达，该技术将使台积电能够制造更大的封装，其面积比光刻中使用的标准掩模版大九倍以上。
在CoWoS封装中，光刻机用于制造中介层，这受限于掩模版的尺寸限制。然而，由于CoPoS不使用中介层，台积电可以制造更大的芯片封装，因为它能制造更大的面板，这些面板在芯片组件与有机封装基板之间起到中间作用。
据郭明錤称，CoPoS首先使用玻璃作为临时载板，芯片组件最初组装在上面，然后转移到基板进行最终组装。分析师表示，这种基板是玻璃芯夹在ABF层之间。分析师补充说，该技术不使用玻璃中介层，芯片直接连接到基板的ABF层上。
关于台积电下一代先进封装CoPoS的关键要点（已省略公开可用的技术细节）：CoPoS目前预计在2028年下半年进入量产，旨在改善超过9.5倍光刻掩模版尺寸的超大型封装的成本效益。
