SK海力士（SK hynix）计划在2030年和2031年前将其内存产量翻倍，这一计划甚至在英伟达（NVIDIA）CEO黄仁勋（Jensen Huang）提出请求之前就已制定。据韩国媒体报道，黄仁勋在中国台湾的台北国际电脑展（Computex）上，曾在一块SK海力士晶圆上写下“请生产更多”的请求。供应链消息人士透露，这家内存制造商计划到2030年将其DRAM晶圆月投入产能提升至100万片。
SK海力士在华生产设施将在内存产能扩张中发挥关键作用。随着时间推移，当芯片制造商最初专注于提升GPU和封装产能时，内存作为AI GPU的关键组成部分，其重要性被忽视了。由AI基础设施建设驱动的GPU需求激增，导致用于组装成高带宽内存（HBM）封装的DRAM模块的产能受到限制。
现在，The Elec援引韩国供应链消息人士的话称，SK海力士正在积极扩大其内存产能。其扩产计划早于英伟达CEO黄仁勋在台北国际电脑展上于一块内存晶圆上写下请求之前就已制定。
SK海力士扩产计划的核心是位于韩国的龙仁半导体制造集群（Yongin semiconductor manufacturing cluster），该公司力求到2030年将其产能几乎翻倍。其位于中国无锡的工厂——目前承担了该公司近一半的DRAM产量——也将在扩产中发挥作用。
SK海力士在韩国的设施将在产能扩张中发挥关键作用。具体而言，SK海力士的龙仁集群是其规划中产能扩张的核心。虽然该公司目前每月可处理55万片DRAM晶圆，但目标是到2030年将产能翻倍至每月100万片。这一扩张将由龙仁工厂推动，该工厂的一期工程分为六个洁净室，其中第一个洁净室将于2027年2月开始接收设备。
SK海力士随后将为龙仁工厂增加6万片晶圆产能，并在之后的每六个月期间继续以类似幅度扩大产能。通过这些增量，该工厂一期工程到2030年将拥有36万片晶圆的产能。此外，该公司还将在其位于韩国清州科技谷（Cheongju Technopolis）的MI5X工厂增加8万片晶圆产能。
The Elec的消息人士补充道，虽然市场对SK海力士的扩产计划充满热情，但也有担忧这些额外产品的需求是否会增长。此外，该公司的制造合作伙伴也对以往的资本支出激增后随之而来的设备订单突然削减感到担忧，担心此次也会出现类似结果。
