在高带宽存储器（HBM）领域，各DRAM厂商之间的竞争显著加速，SK海力士（SK Hynix）正在展示其全新的HBM4E解决方案，该方案提升了存储密度与带宽。HBM4E带来了33%的裸晶密度提升，以及38%的内存带宽增长，其目标是为下一代AI数据中心芯片提供高达4 TB/s的带宽。
英伟达（NVIDIA）和AMD计划在今年利用HBM4为其最新的AI数据中心GPU提供动力。Rubin和MI400系列均配备了强大的规格，而它们所采用的HBM方案是最重要的创新之一。
转向HBM4带来了带宽、密度和效率的显著提升。然而，即便拥有所有先进特性，这一内存方案仍显不足，市场对更高容量和更高带宽的需求依然存在。因此，在2026年台北国际电脑展（Computex 2026）上，SK海力士预览了其即将推出的HBM4E内存裸晶。这款新方案拥有32Gb的密度，相较HBM4提升了33%。凭借如此高的密度，仅需12-Hi堆叠即可实现与HBM4使用16-Hi堆叠时相同的48GB容量。这还不是全部，HBM4E的速度极快，其引脚速度高达16 Gbps，比HBM4提升了37%，将内存带宽推至创纪录的4 TB/s。
HBM4E的主要亮点如前所述：内存带宽和裸晶密度。SK海力士已通过展示样品在这一领域占据了领先地位。我们将在2027年上市的英伟达Rubin Ultra GPU上首次看到这一内存的应用。Rubin的继任者将采用密度更高的设计，并将多个GPU和HBM4E芯粒封装在一起，从而实现创纪录的AI性能飞跃。SK海力士还将推出一种下一代堆叠式NAND解决方案，其特色是采用类似HBM的设计，利用硅通孔（TSV）技术将多个NAND裸晶堆叠在一起。该技术旨在提供HBM级别的吞吐量，同时具备SSD级别的容量。其原理与HBF和Z-Angle所采用的技术相似，有助于解决当前困扰科技领域的存储器供需缺口。
除了HBM DRAM，SK海力士还展示了其最新的客户端产品，例如一款基于其1cnm工艺技术的96 GB LPCAMM2模组。该LPCAMM2模组基于LPDDR5X标准，传输速率高达9.6 Gbps。这些模组预计将于今年晚些时候登陆“AI PC”平台。该公司还在开发广泛的NAND技术，例如V9 NAND，它提供QLC和TLC两种类型，在cSSD形态下可提供高达2 TB的存储容量。这些SSD非常适合小尺寸设计，能够以无DRAM的方式实现高能效。
