三星（Samsung）正在全力推进下一代HBM5内存的开发，计划在其即将推出的DRAM标准中集成一项名为“热阻隔通路（Heat Block Path）”的新型散热特性。
三星预览了其在与SK海力士（SK Hynix）和美光（Micron）的竞争中，下一代HBM5内存的设计与特性。
我们知道三星、SK海力士和美光都在致力于未来的HBM标准。这三大DRAM制造商目前正在为全球最新的AI数据中心提供大部分DRAM芯片。
最近，SK海力士为其HBM产品引入了一项名为“集成冷却HBM（iHBM）”的新特性，它集成了内置冷却元件（ICE），以应对HBM堆叠密度更高、速度更快带来的散热挑战。三星也透露了其应对方案，称为“热阻隔通路”。在Computex上展示的结构图显示了采用热阻隔通路的HBM5架构，与SK海力士的集成冷却HBM设计相似。
我们并不是说这两种技术的工作原理相同，或者每家DRAM供应商只是换了个名字。三星和SK海力士可能都在使用各自专有技术。已知SK海力士利用其MR-RUF技术来生产集成冷却HBM DRAM。三星也很可能采用其内部技术。
热阻隔通路将位于核心芯片（DRAM堆叠）旁边，位于同一基底芯片上，并通过芯片间物理层（D2D PHY）连接。它的高度与核心芯片堆叠相同，这些堆叠产生的额外热量将进入热阻隔通路，并通过冷却板更有效地散发。SK海力士和三星目前都在致力于将各自的散热技术集成到HBM5内存中，这意味着我们将再次看到性能、效率以及整体功耗或散热特性的巨大飞跃。
首批搭载HBM5内存的GPU要到2028-2029年才会问世，因此HBM制造商仍有大量时间来优化设计，并与各种合作伙伴测试这些技术。
