根据韩国媒体的报道，中国在开发绕开美国对高端极紫外线（EUV）光刻机制裁的替代方案之际，AI芯片的旺盛需求造成的内存行业短缺，为中国企业抢占市场份额创造了机会。报道称，在中国政府主导的强力推动下，中国与韩国在HBM内存上的技术差距已缩小至三年。在此次快速追赶中扮演核心角色的是中国的长鑫存储（CXMT），该公司还计划通过首次公开募股（IPO）发行股票以筹集资金。
报道称，中国的长鑫存储预计到2026年底，其HBM内存月产能将达到30万片12英寸晶圆。今日报道的核心是围绕HBM3内存，即用于AI图形处理器（GPU）的第三代先进内存芯片。据《首尔经济日报》报道，中国企业已在技术上追平了韩国内存制造商三星（Samsung）和SK海力士（SK hynix）。
HBM3内存被英伟达（NVIDIA）的H100 AI GPU所采用，而后者是美国最早限制对华销售的产品之一。为使其产品符合美国规定，英伟达专门为中国市场打造了H20图形处理器变体，该版本搭载了96 GB的HBM3内存，而H100仅配备80 GB。
报道称，中国政府渴望在内存生产方面追赶全球标准。据该报援引的业内人士称，在内存生产方面，中国落后三星和SK海力士大约三代。具体而言，中国内存制造商长鑫存储如今已在HBM3制造上实现了技术追平。消息人士补充说，虽然良品率仍是这家中国公司面临的瓶颈，但从技术层面看，长鑫存储已具备生产芯片的能力。
这一技术追平得益于中国政府强力推动长鑫存储扩大其产能。据消息人士称，预计到2026年底，这家内存制造商将具备月产约30万片12英寸晶圆的能力。
然而，三星和SK海力士在技术上仍领先长鑫存储数代。最新的英伟达芯片已采用HBM3e内存，而到今年年底，AI图形处理器制造商预计将开始签订HBM4内存芯片的合同。
HBM4是一次重大的代际飞跃，其数据传输容量几乎是HBM3的两倍。此外，制造AI图形处理器还需诸如先进封装等复杂工艺，而该项技术目前仅掌握在台湾的台积电（TSMC）手中。为了抓住这一内存市场繁荣的机遇，长鑫存储已获批进行首次公开募股，计划筹集超过40亿美元的资金。
