三星（Samsung）展示的“梦想内存”（Dream Memory）技术，通过将内存控制器从CPU移至DRAM内部，实现了高达9200 MT/s的传输速度，同时将功耗降低了65%。这项技术有望彻底改变内存行业，特别是在JEDEC标准电压（1.1V）下运行，为未来的DDR5内存解决方案提供了更高的能效和性能。
芝奇（G.Skill）展示了其DDR5内存的能力，将Trident Z5 CK“CUDIMM”套件推至9200 MT/s，电压仅为1.1V。芝奇展示了在微星（MSI）Z890 GODLIKE主板上运行的DDR5-9200 1.1V 16GBx2高速CU-DIMM内存套件。芝奇展示了一款超高速DDR5 CU-DIMM 32GB （16GBx2）内存套件，运行在令人印象深刻的DDR5-9200 CL74-74-74-148速度下，仅需1.1V DRAM电压，并在旗舰主板微星MEG Z890 GODLIKE平台上通过验证。
随着内存性能的不断进步，平衡高频率和工作电压变得越来越重要。为了展示芝奇的内存工程和IC筛选工艺质量，这款DDR5-9200 32GB （16GBx2） CU-DIMM套件能够在仅1.1V电压下实现极致的记忆频率，这一电压与标准JEDEC规范一致。这一演示凸显了下一代DDR5内存技术的潜力，用户可以在保持更低功耗和热输出的同时享受更高带宽。
这款DDR5-9200 2x16GB 1.1V CU-DIMM内存套件已在英特尔（Intel）酷睿Ultra 7 270K Plus桌面处理器和微星MEG Z890 GODLIKE主板上通过了压力测试，展示了最新平台的强大内存超频优化能力。此前，这种DDR5-9200高速内存通常出现在2-DIMM超频主板上，我们很高兴看到这一频率现在也能在4-DIMM主板设计中实现。
随着内存技术不断发展以支持PC游戏、内容创作、AI工作负载和专业计算应用，芝奇始终致力于开发尖端内存解决方案，提供极致的性能和电压效率。这款内存套件和平台将在芝奇的Computex展位上展示。欢迎Computex 2026的参观者莅临南港展览馆1馆（TaiNEX 1）的芝奇展位（I0818），体验这一演示及其他众多下一代内存创新。
