三星距离其1000层V-NAND技术越来越近，已实现首个900层原型，准备与竞争对手展开快速角逐。三星900层V-NAND原型将两个450层单元合并为一个，距离1000层NAND仅一步之遥。
据ETNews报道，三星（Samsung）利用CMB（Cell Multi-Bonding）技术实现了其首个900层V-NAND技术，该技术本质上将两个450层单元堆叠耦合到一个设备中。凭借900层V-NAND，三星将能够大幅提升存储解决方案（如SSD）的容量，这些SSD遍布计算世界的各个方面，包括企业和客户端领域，如服务器、台式机、笔记本电脑、智能手机等。
据半导体行业25日消息，三星近期利用CMB技术实现了一款900层级V-NAND集成系统，该技术将两个450层晶圆键合为一个。
ETNews表示，为实现惊人的900层V-NAND，三星需要克服一些障碍，晶圆翘曲是主要问题之一。但通过引入上部卡盘设计（Upper Chuck Design）解决了这一问题。其他修复措施包括使用覆盖校正（Overlay Correction）技术来纠正对准误差。
目前，SK海力士（SK Hynix）处于领先地位，是首家开发和提供321层NAND技术的公司。400层NAND的工作已在推进中，三星将采用垂直键合（Vertical Bonding）技术，而SK海力士将采用混合键合（Hybrid Bonding）技术。
与此同时，长江存储（YMTC）也在加速其NAND计划。该公司已提供294层和232层NAND设备，并正在缩小与三星、SK海力士和美光（Micron）等海外公司的差距。长江存储还在大力投资新的晶圆厂，这些工厂将使其当前晶圆产出能力翻倍，正值市场因人工智能超级周期面临显著供需缺口的关键时刻。
实现900层以上的堆叠NAND方法仍处于原型阶段，但它为未来的存储扩展铺平了道路。1000层V-NAND目前的目标是在2030年发布，400层以上的产品将在未来几年推出。
