美光（Micron）认为，在HBM、NAND和DRAM产品领域，内存市场的短缺将持续到2026年之后。这一观点由摩根大通（JPMorgan Chase）在一份投资报告中分享，报告阐述了该公司管理层在马萨诸塞州波士顿举行的第54届摩根大通年度全球科技、媒体与通信（TMC）大会上透露的信息。
在美光的演示之后，摩根大通确信AI内存领域将迎来多年牛市。在报告中，摩根大通指出，美光在TMC大会上表示，由于高性能内存芯片能增强人工智能模型的性能，预计内存市场的紧张状况将持续到2026年之后。摩根大通补充说，美光还认为，由于HBM、NAND和DRAM芯片的供应难以增加，预计这种紧张状况将持续相当长一段时间。
摩根大通补充说，多个因素正在推动内存市场的紧张。首先，这可以归因于后续几代内存芯片性能提升速度的放缓，以及新型HBM芯片更大的裸片尺寸。此外，EUV光刻技术也将在最新的DRAM内存制造中发挥关键作用。
关于HBM4内存生产，美光披露了关键信息。据摩根大通称，美光高管在活动中表示，由于AI应用的旺盛需求，1-gamma节点预计将成为该公司历史上基于总晶圆产出量最高的DRAM节点。通常用于AI GPU的HBM内存芯片，通过将DRAM模块堆叠在一起并封装整个芯片来实现。美光还表示，它正在继续将EUV芯片制造光刻技术整合到1-gamma内存生产中。
在生产方面，美光还透露，由于AI需求强劲，HBM4的生产爬坡速度是HBM3的两倍。该公司补充说，下一代HBM4E内存应于2027年开始生产爬坡，首批样品将采用1-gamma生产节点制造的DRAM模块。
最后，美光还指出，AI上下文窗口和推理工作负载的增长，使其在固态硬盘（SSD）市场获得了市场份额。该公司正与客户紧密合作，开发适合其需求的产品，而不是提供现成的产品。
