美国制裁可能已经切断了华为（Huawei）与其他国家的贸易能力，使其无法获取最新的光刻设备及大规模生产下一代芯片所需的相关装置，但这同时也激发了该公司摆脱海外依赖、自主开拓的决心。今天，华为宣布到2031年，将拥有制程工艺相当于台积电（TSMC）即将推出的尖端1.4纳米工艺的芯片。这听起来令人振奋，但有几件事我们仍需留意。
没有阿斯麦（ASML）的高数值孔径极紫外（High-NA EUV）设备，实现1.4纳米晶圆制造是不可能的，但华为可能并不需要它。
除了公布其逻辑折叠设计（LogicFolding Design）技术并计划于今年晚些时候应用于麒麟（Kirin）芯片组之外，华为高管何庭波（He Tingbo）还透露，该公司计划在2031年前推出相当于1.4纳米工艺的光刻技术。需要注意的是，关于华为如何实现这一几乎不可能完成的任务，细节并未公布，但我们有一些想法。
不过，在开始之前，读者应该了解台积电到2028年量产其1.4纳米晶圆的规模。为实现这一目标，这家台湾半导体巨头估计已投资490亿美元用于建设四座工厂，而且无需使用阿斯麦极其昂贵的高数值孔径极紫外光刻机，每台成本高达4亿美元。
华为要在类似工艺上推出芯片，需要阿斯麦的技术，但美国的禁令禁止两家公司开展业务。然而，如果中国不需要海外设备就能达到与台积电相同水平呢？正如我们去年报道的那样，国内极紫外光刻机有可能在2025年第三季度进入试生产，这种可能性微乎其微。
华为也有可能向中国一家致力于替代阿斯麦极紫外设备的领先公司SiCarrier投入了大量资金。此前有报道称，SiCarrier在2025年上半年寻求28亿美元融资，但我们尚未听到有关其进展的最新消息。考虑到2031年对华为来说还有很长时间来制定各种应急计划，我们还应提醒读者，没有上述设备，实现这些目标几乎是不可能的。
华为的雄心值得称赞，但也需要从现实角度看待问题。任何科技公司都可以夸下海口，但执行层面完全是另一回事。
