中国最大的半导体制造商中芯国际（SMIC）因未能获得先进的EUV光刻机来批量生产5纳米或以下制程的晶圆，目前受到掣肘。由于无法突破这一限制，创新成为关键，因此有传闻称，华为（Huawei）即将推出的麒麟9050（Kirin 9050）将采用一种新的3D IC堆叠方案来提升性能。从最新传闻中可以得知的一个积极消息是，这款SoC能够击败苹果（Apple）较旧的A18 Pro。新的封装技术将使麒麟9050能够垂直堆叠组件，从而提高晶体管密度和性能。
来自中信证券（CITIC Securities）的分析师于方波（Yu Fangbo）对华为即将推出的旗舰SoC——可能将为即将发布的Mate 90系列（Mate 90 series）提供动力的麒麟9050——做出了大胆的断言。
尽管我们一直听到消息称，华为和中芯国际已成功利用现有的DUV设备开发出5nm工艺，但这种光刻技术从未用于批量生产晶圆，两家公司仍坚持使用较老的7nm节点，因为其良率更高、成本更低。为了突破这一巨大障碍，传闻称麒麟9050将采用3D IC堆叠技术，无需依赖先进的3nm工艺，即可通过垂直堆叠组件来提高晶体管密度和性能。
根据据称的测试结果，麒麟9050的性能超越了苹果的A18 Pro，这是一项令人印象深刻的成就——前提是华为芯片的商业版能够重复这些结果。然而，由@szslg分享的帖子充满了模糊之处，因为不仅没有提及对麒麟9050和A18 Pro进行对比的测试项目，功耗也完全没有提到。
在不受限制的功耗下运行时，我们听到一个传闻称，即使是Exynos 2600的工程样品也能超越M5。遗憾的是，这些说法变得毫无意义，因为这些芯片组最终需要在移动设备中运行，而不是在宽敞的受控环境中。同样，我们尚未听到关于麒麟9050功耗的消息，但我们很高兴得知，华为预计将在其芯片上采用逻辑折叠设计（LogicFolding Design）技术，带来一系列升级，如更高的晶体管密度、更高的时钟频率等。
