高带宽内存（HBM）将不再仅限于服务器领域，最新报告显示，三星（Samsung）正采用一种独特的封装技术，使智能手机和平板电脑能够兼容这些超高速动态随机存取存储器（DRAM）芯片。这家韩国巨头旨在将移动设备升级为端侧人工智能（AI）猛兽，而考虑到三星在持续缺货期间获得的丰厚利润，它显然不想错过任何市场。
目标是开发专为智能手机和平板电脑定制的HBM技术，以避免不必要的空间和功耗障碍。
传统移动DRAM采用铜线键合，但其I/O端子数量局限在128-256范围内，这意味着在提升效率和降低发热量的同时，存在巨大的信号损耗。据ETNews报道，三星计划为智能手机和平板电脑配备HBM，采用超高深宽比铜柱结合扇出型晶圆级封装（FOWLP）——这与用于Exynos 2600等SoC的封装技术相同，旨在提升耐热性并增加持续工作负载性能。
通过三星在垂直铜柱堆叠（VCS）方面的进步，该制造商可以通过以“阶梯”配置堆叠DRAM裸片，并用铜柱填充间隙，确保HBM芯片在尺寸受限的移动设备中发挥出色。报告称，三星已将VCS封装中铜柱的深宽比从现有的3-5：1大幅提升至15：1–20：1，从而提升了带宽。不幸的是，这种方法会导致铜柱直径减小。
如果该直径降至10微米以下，这些铜柱可能弯曲甚至完全断裂，而FOWLP正是通过将铜布线向外延伸来提供更高的结构完整性。使用FOWLP还增加了I/O端子数量，进一步将带宽提升约30%。由于三星目前仍在开发这项技术，很难确定移动端HBM何时会首次亮相。
从当前时间线来看，三星可能会将其集成到Exynos 2800或Exynos 2900中——据报道，Exynos 2800将是该公司首款搭载自研GPU的SoC。此外，苹果（Apple）据称也计划为iPhone引入HBM技术，但目前尚不确定这家库比蒂诺公司是否会从三星采购。华为也在探索这一技术，但这家韩国制造商不太可能进入中国OEM供应链。
此外，考虑到移动DRAM目前的高昂价格，我们认为只有当价格稳定时，智能手机公司才会认真考虑在其设备中应用HBM芯片的可行性。假设未来几年内存价格依然居高不下，那么升级智能手机和平板电脑端侧AI能力可能仍将局限于芯片组和存储方面的改进。
