韩国海关最新发布的进出口数据显示，DRAM与NAND闪存价格大幅飙升，这将影响全球内存和固态硬盘市场。NAND与DRAM的需求已膨胀至历史最高水平，韩国半导体企业正因内存和固态硬盘价格上涨而大赚特赚。
韩国海关进出口部门的最新数据已公布，重点关注了DRAM和NAND领域。根据最新数据，DRAM与NAND的需求激增态势清晰可见，这已影响到所有主要科技组件，其价格单月涨幅最高达63%。该数据对比了每类DRAM和NAND产品每单位价格与上月的变动情况。
首先来看独立DRAM（不包括内存模组），其价格较上月（2026年4月对比截至5月10日的数据）飙升了20.9%。同比涨幅更是惊人，几乎达到500%，这充分显示出人工智能超级周期所驱动的DRAM需求有多么旺盛。
至于基于DRAM模组的内存产品，其价格较上月出现了13.9%的小幅下滑，但同比仍暴涨326.3%。这涵盖了DDR5内存，如UDIMM、SODIMM和RDIMM，以及标准DDR和LPDDR规格。不过，整个内存类别较去年同期仍上涨了28.8%和326.3%。
HBM内存标准价格也较上月上涨了18.7%，同比飙升165.5%。用于固态硬盘并主要作为存储方案的闪存或NAND闪存，其价格环比涨幅最大。NAND闪存产品价格较上月暴涨63.1%，同比上涨351.6%。
以下是韩国海关关于DRAM和NAND及其相关产品的完整数据明细：内存单价为82,680美元/千克，同比上涨326.3%，环比上涨28.8%；DRAM单价为89,498美元/千克，同比上涨497.4%，环比上涨20.9%；闪存单价为67,307美元/千克，同比上涨351.6%，环比上涨63.1%；MCP（HBM）单价为78,752美元/千克，同比上涨165.5%，环比上涨18.7%；DRAM模组单价为29,882美元/千克，同比上涨351.2%，环比下跌13.9%。
价格涨势无疑非常惊人，如果按照三星（Samsung）近期的声明来看，到2027年的情况将比2026年严重得多。DRAM和NAND制造商正努力提升产能，但工厂建设并非一蹴而就，至少需要2至3年时间才能建成并达到量产阶段。中国DRAM制造商也在加速提升自身产能以满足国内需求，人工智能公司的需求更是加速了这一进程。
太震撼了。这到底是怎么回事？内存价格正在彻底失控。$DRAM $MU $SNDK——Jukan（@jukan05），2026年5月11日
另一方面，集邦咨询（Trendforce）报告称，面向消费者的NAND产品（如基于TLC的固态硬盘）现货价格已出现下跌，跌幅达30%至40%。这是由于个人电脑市场放缓所致，消费者因价格上涨而远离购买新设备。通用消费级固态硬盘库存过剩，导致价格下跌。
然而，合约价格却呈现不同走势，基于MLC的固态硬盘价格上涨了50%，基于SLC的固态硬盘价格上涨了20%。核心焦点依然是以人工智能为导向的存储产品和DRAM，美光（Micron）、三星（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）、铠侠（Kioxia）等公司都专注于人工智能热潮。按照目前的趋势，NAND价格预计在本季度将飙升70%至75%。
