据最新报道，英伟达（NVIDIA）即将推出的Rubin和Rubin Ultra平台正经历重大设计及规格变更。这些调整发生在Rubin系列预期发布之前，该系列将通过新特性、能效升级和全新架构，在人工智能（AI）性能上远超Blackwell。
传闻称，英伟达（NVIDIA）在Rubin和Rubin Ultra平台上面临五个关键挑战，涵盖了HBM4内存的速度和容量问题、良率与翘曲问题、多电源设计受阻，以及散热顶盖的重新设计。
HBM4速度缩减
从HBM4挑战说起，英伟达（NVIDIA）的Rubin平台配备288 GB的HBM4内存，总带宽高达22 TB/s。美光（Micron）已宣布大规模量产12-Hi HBM4内存，用于驱动英伟达（NVIDIA）的Rubin平台，每个堆叠提供高达2.8 TB/s带宽，八个HBM4堆叠的总带宽为22.4 TB/s。
据称，由于美光（Micron）和SK海力士（SK Hynix）的基础芯片质量不佳，英伟达（NVIDIA）在让更高速度的Rubin内存正常工作方面面临挑战，这可能导致设计变更或生产周期潜在延迟。
HBM堆叠数量减少，但仍比标准Rubin有显著提升
对于Rubin Ultra，英伟达（NVIDIA）最初计划使用16-Hi堆叠，配备高达1 TB的HBM4E内存。但由于美光（Micron）和SK海力士（SK Hynix）量产计划相关的良率问题，该设计缩减至12-Hi。Rubin Ultra平台有16个HBM4E位点，每个GPU芯片组8个，因此每个堆叠为64 GB的16-Hi容量。缩减至12-Hi将带来768 GB的HBM4E内存，比原设计减少25%，但比标准Rubin芯片提供2.66倍的容量提升。
四芯片组变双芯片组
除了HBM容量和速度之外，英伟达（NVIDIA）的Rubin Ultra平台据报在设计上也出现缩减。此前已有相关迹象。根据新变更，Rubin Ultra据报将从每GPU 4芯片组方案变为每GPU 2芯片组方案。Rubin Ultra仍将提供单芯片和双芯片变体，但预计每个芯片将缩减至2个芯片组，而非4个。
据称，这些变更源于严重的良率与翘曲问题，这在采用MCP（多芯片封装）方法的极高密度设计中是可以预见的。Rubin Ultra将采用台积电（TSMC）的CoWoS-L封装技术。这种芯片级变更可能导致计算性能和容量大幅下降，但预计英伟达（NVIDIA）将保留其最初公告中所披露的相同性能水平。
这将通过板级组装实现，英伟达（NVIDIA）将以2+2配置集成Rubin Ultra GPU，使每个Kyber服务器容纳四个Rubin Ultra GPU。在2026年 GTC期间展示的原型机中，Rubin Ultra机架容纳了四个Rubin Ultra GPU。Ultra芯片看起来比最初的长方形设计更方正，这暗示了标准的2芯片组和8个HBM位点配置。
散热顶盖与电源变更
最后，据称英伟达（NVIDIA）正在更新Rubin GPU的散热顶盖设计，这已导致生产延迟。原计划本季度开始量产，但由于芯片规格变更，散热顶盖也从双散热顶盖布局改为单散热顶盖布局。
报道称，当这种AI强芯进入大规模生产阶段时，双散热顶盖设计未能满足翘曲要求。按照命名时间线，Rubin Ultra的认证样品将于7月生产，生产样品于8月，量产预计在9月，机架在10月准备就绪。
标准Rubin GPU据称也面临当前铟石墨导热材料的稳定性问题，并将为原本计划的2300W和1800W平台改用传统石墨导热材料。
下一场AI大战：Rubin Ultra vs MI500
英伟达（NVIDIA）的Rubin Ultra和超微半导体（AMD）的MI500在AI霸主之争中是直接竞争对手。这两款芯片都将分别是两家公司率先采用共封装光学技术（硅光子）的产品，并相比现有设计带来巨大升级。
根据当前时间表，超微半导体（AMD）的MI500平台预计在2027年下半年推出，提供2.5D/3D封装和4芯片组布局，配备12-Hi HBM4E内存封装。Rubin Ultra据报缩减至2芯片组封装，采用相同的12-Hi HBM4E内存封装，预计在2027—2028年推出。
尽管这些传闻与之前的报道相符，但英伟达（NVIDIA）的供应链合作伙伴已展现出速度，及时修复和解决了其AI平台的大多数问题。英伟达（NVIDIA）的Blackwell和Blackwell Ultra也曾面临芯片和机架级别的设计调整，但最终按时实现了量产，并提供了与最初宣布一致的规格和性能。
我们预计英伟达（NVIDIA） Rubin和Rubin Ultra平台的问题将很快得到缓解或解决，从而使英伟达（NVIDIA）能够实现其路线图目标，并再次以显著提升颠覆AI领域，尽管该领域的竞争日益激烈。
