行业内部人士透露，三星（Samsung）和SK海力士（SK hynix）在下一代DRAM内存芯片的制造上选择了截然不同的技术路线。AI数据中心建设对计算产品的需求激增，导致内存市场吃紧，HBM、DRAM等芯片因共享相同的原材料而供应紧张。作为推进下一代芯片制造的一部分，消息人士称，三星（Samsung）有意在其新一代DRAM芯片中引入全环绕栅极（GAAFET）工艺。
与应用处理器使用纳米级术语不同，内存芯片技术采用另一种命名体系。例如，字母代码1c用于描述在10纳米节点或以下制造的产品。
由于内存芯片需要存储数据，其制造过程还需要创建电容器来保存数据。电容器与晶体管协同工作，但随着节点尺寸缩小，在电容器内存储数据的难度增加，因为电容器需要达到特定尺寸才能正常运作。因此，芯片制造商正转向3D DRAM技术，将晶体管水平放置而非垂直堆叠，因为更先进的工艺允许更高密度，但同时也增加了晶体管之间相互接触的风险。
三星（Samsung）正在为其新型DRAM芯片开发的一种方法是采用全环绕栅极（GAAFET）制造工艺。在应用处理器制造中，全环绕栅极（GAAFET）技术将晶体管的栅极包裹在其沟道周围。由于栅极负责控制晶体管中的电流流动，这种结构增加了接触面积，从而带来性能提升。
然而，据消息人士称，由于DRAM芯片也包含电容器，三星（Samsung）必须将全环绕栅极（GAAFET）晶体管和电容器集成在一个DRAM单元内。该公司正在考虑的一种方法是，将负责读写等操作的芯片电路置于存储阵列下方，方式类似于NAND芯片。
另一方面，SK海力士（SK hynix）正在尝试4F²方案，其中晶体管垂直堆叠，栅极材料包裹在其周围。这类似于全环绕栅极（GAAFET）工艺，负责从电容器接收数据的芯片组件被放置在晶体管柱下方。
据消息人士称，SK海力士（SK hynix）和三星（Samsung）正竞相让自己的技术率先获得认可，以期成为行业标准，从而主导下一代DRAM芯片市场。
