英特尔（Intel）的Z-Angle Memory（ZAM）项目已接近完成，正全力追赶人工智能热潮，并试图挑战HBM，成为可行的高带宽内存替代方案。
作为高带宽、大容量领域的一项重大内存创新，ZAM的带宽速度可达HBM4的两倍。
Z-Angle Memory在内存领域引发了广泛讨论。这一即将推出的标准由英特尔（Intel）与软银（SoftBank）共同开发，旨在提供一种低功耗、高密度的HBM替代方案。
如今，最新公布的信息让我们对ZAM有了更多了解。首先，该新内存的带宽将是HBM4的两倍，甚至能与下一代HBM4E标准相媲美——而HBM4E预计要到明年才能问世。ZAM本身计划在2028年至2030年期间推出，距离实现量产仍需时日。
在2026年的VLSI研讨会上，英特尔（Intel）和软银（SoftBank）的子公司SAIMEMORY将披露更多细节，并已提前预览了新标准的若干特性。这些信息涵盖了多个方面，我们将在下文中详细解读。
从设计结构来看，ZAM采用9层堆叠设计。单个堆叠包含8层DRAM，每层之间以3微米厚的硅衬底相隔。主衬底上设有一个逻辑控制器，为全部9层DRAM提供支持。整个结构中包含三个主要TSV层，每层拥有13,700个采用混合键合技术的硅通孔互连路径。每层提供1.125 GB容量，因此每个堆叠容量为10 GB，整个封装总容量为30 GB.ZAM堆叠的尺寸为171平方毫米（15.4 x 11.1毫米），内存带宽密度为0.25 Tb/s每平方毫米，相当于每个堆叠提供5.3 TB/s的带宽。
现在，我们来探讨HBM内存的优势。当前，HBM是高性能AI加速器和GPU的首选。然而，随着HBM的扩展，它也逐渐暴露出结构性问题，例如发热增加和功耗升高。相比之下，ZAM针对三大核心领域进行了优化：高密度、宽带宽和低功耗。其结构特性支持垂直堆叠，有利于散热，且无需穿过布线层。
ZAM的关键优势
ZAM具备更高的带宽密度，约为0.25 Tb/s每平方毫米（HBM则较低）。它针对低数据传输功耗进行了优化，功耗更低。垂直架构实现了卓越的散热管理，而HBM因布线层存在热量积聚问题。ZAM支持9层以上超高堆叠，每层采用极薄的3微米硅层和via-in-one TSV技术。其创新技术包括磁场耦合无线I/O和先进键合技术，实现了高度可扩展性。此外，ZAM针对生成式AI工作负载，解决了HBM的结构性瓶颈。
ZAM的最终目标是通过3.5D封装技术实现密集的3D内存设计。该技术包含垂直和水平层，将高带宽大容量内存堆叠、电源/地线、硅光子和传统I/O全部集成在一个基板上。ZAM确实前景广阔，我们期待其首次实时演示。但要想被市场认可为真正能与HBM抗衡的解决方案，还需要看到实际应用。而在AI市场如火如荼的当下，还有比这更快的验证方式吗？
