英特尔（Intel）的关键EMIB技术取得了惊人的90%良率，表明其已准备好应用于即将到来的AI数据中心芯片。
英特尔（Intel）EMIB是“芯片怪兽”英特尔（Intel）最关键的代工技术，将使其成为台积电（TSMC）在先进封装领域的竞争对手。我们近期讨论过，AI公司正在关注EMIB，用于其下一代AI芯片。这项技术的目的很简单，就是提供一种比台积电（TSMC）CoWoS技术更具成本效益且可扩展的替代方案。
英特尔（Intel）的先进封装技术将被谷歌（Google）用于其下一代TPU，我们还提到英伟达（NVIDIA）将把EMIB用于其下一代Feynman芯片。广发证券（GF Securities）科技研究分析师杰夫·普（Jeff Pu）分享了对EMIB进展的一些见解，初步印象非常乐观。
据杰夫·普（Jeff Pu）透露，英特尔（Intel）的EMIB良率已达到90%，这对公司代工业务而言是个好消息，也说明了当前市场为何对英特尔（Intel）代工服务如此有信心。Meta（Meta）也被列为EMIB的客户之一，但相关计划涉及一款2028年底的CPU，因此还需更多时间才能获知进一步信息。
与此同时，英特尔（Intel）并未止步于强调EMIB技术的优势。这家芯片制造商再次重点介绍了EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）的诸多好处，包括更高的良率、更低的功耗、更低的成本，以及使更大的“混合节点”系统变得实用。
在最新发布的视频中，英特尔（Intel）还分享了一个关于EMIB的有趣见解：EMIB的良率与FCBGA相当，但能提供更高的芯片间互连密度。FCBGA（倒装芯片球栅阵列）是另一种高性能封装技术，用于CPU、GPU及其他控制器芯片等各种IP.FCBGA芯片通过焊球直接连接到PCB基板，而EMIB则将互连线路集成在桥接器内，用于连接多个芯片。
EMIB-M与EMIB-T的关键区别
目前，EMIB技术主要分为两种：EMIB-M和EMIB-T.EMIB-M桥接器专为高效率设计，在硅桥中集成了MIM电容器，通过降低噪声来增强供电性能和完整性。虽然成本略高于金属-氧化物-金属电容器，但MIM（金属-绝缘体-金属）电容器具有更高的稳定性和更低的漏电。
EMIB-M的构建过程涉及通过芯粒创建高密度3D结构。芯粒之间通过EMIB-M桥接器连接，实现高带宽互连，而芯粒的供电线路则绕行桥接器周围。这是一种嵌入式多芯片互连桥接2.5D技术，也是一种高效且经济的方式来连接多个复杂芯片。2.5D封装适用于逻辑-逻辑以及逻辑-高带宽内存（HBM）连接。EMIB-M在桥接器中集成了MIM电容器，而EMIB-T则在桥接器中增加了硅通孔（TSV）。硅桥嵌入封装基板，实现岸对岸连接。EMIB-T可简化从其他封装设计集成IP的难度，供应链和组装流程也因此得到简化。该技术生产已验证，自2017年起已大规模量产，应用于英特尔（Intel）及外部硅芯片。
在EMIB-T中，供电方式发生了改变：通过集成TSV，EMIB-T实现了扩展密度的提升。使用EMIB-T时，供电可以直接通过EMIB桥接器内部进行，而非像EMIB-M那样绕行桥接器外部。EMIB-T旨在满足高性能AI芯片的需求。
面向超大规模云时代的规模化EMIB
目前，EMIB-T在120x120封装中可实现超过8倍掩模版尺寸的芯片扩展能力，可容纳12个HBM芯片、4个密集芯粒以及超过20个EMIB-T连接。到2028年，英特尔（Intel）计划将扩展能力提升至超过12倍掩模版尺寸，在>120x180封装中容纳超过24个HBM芯片和超过38个EMIB-T桥接器。
作为对比，台积电（TSMC）预计到2028年将达到14倍掩模版尺寸，集成多达20个HBM封装。该公司还推出了SoW（晶圆级系统）封装用于超大型先进封装芯片，不过其成本将远高于CoWoS。
EMIB的一个关键优势在于其IP和工艺节点无关性，因此可以容纳基于不同IP以及各种第三方或内部工艺节点的多个芯片，从而制造出专为带宽、供电完整性和规模而优化的芯片。
