随着英特尔（Intel）向外部客户推广其18A-P工艺技术，该公司分享了关于其增强性能与特性的新见解。
英特尔（Intel）的18A工艺技术正在顺利推进，Panther Lake的产量将在未来几个月内大幅提升。随着18A成为英特尔（Intel）自研芯片的标准工艺，该公司也在优化其增强型18A-P节点，这是一项旨在吸引外部代工客户的关键技术。
在VLSI研讨会上，英特尔（Intel）将分享更多关于18A-P所带来特性和增强功能的细节，但在2025年6月的会议之前，英特尔（Intel）提前预览了18A-P的相关信息。以下是英特尔（Intel）在VLSI网页上对18A-P的描述：
英特尔18A-P（Intel 18A-P）是一种性能增强的RibbonFET环栅（GAA）晶体管技术，并采用PowerVia实现背面供电。与英特尔18A（Intel 18A）相比，英特尔18A-P（Intel 18A-P）在同等性能下功耗降低超过18%，或在同等功耗下性能提升超过9%。这一改进是通过新增的技术特性、晶体管性能增强、互连增强以及设计技术协同优化（DTCO）实现的。
英特尔18A-P（Intel 18A-P）新增的特性包括：额外的逻辑阈值电压（VT）对、偏差拐点收紧、在高密度（HD）和高性能（HP）库中新增低功耗器件，以及在这两个库中性能得到提升的HP器件。此外，英特尔18A-P（Intel 18A-P）还降低了热阻，以改善热传导。
从细节上看，英特尔（Intel）分享了基于Arm核心子堆栈的18A-P的部分性能和功耗数据。根据这些数据，与18A相比，18A-P在同等功耗下可带来约9%的速度提升，或在同等性能下节省约18%的功耗。相对于18A而言，这是不错的提升，因为P变体本质上是对同一节点的进一步优化。
在详细的特性列表中，英特尔（Intel）表示，单元高度和接触多晶硅间距（CPP）与18A保持一致。变化包括支持新的低功耗和高性能晶体管、额外的阈值电压对（18A-P为5对以上，而18A为4对），以及在超低阈值电压（ULVT）和低阈值电压（LVT）之间新增了一个逻辑阈值电压。偏差拐点也收紧了30%，进一步改善了18A-P节点内的性能一致性。
最大的更新之一是将热导率提升了50%。这并不一定意味着芯片会运行得更冷；相反，这意味着18A-P将更好地辅助热量传导或转移，以避免达到热阈值。
英特尔（Intel）还通过一个图表展示了18A-P技术相对于18A的性能提升，该图表列出了环形振荡器频率与归一化电容的关系。图表显示，18A-P提供了更好的速度、更优的功耗和更佳的接触性能。
所有这些都表明，18A-P不仅仅是性能的轻微提升，它包含了旨在吸引更多客户的关键变革。现在的问题是客户如何响应制程设计套件（PDK）。有报道指出，随着18A-P和14A的PDK日趋成熟，英特尔（Intel）有望在其代工业务中看到客户信心不断增强。
