韩国存储器制造商SK海力士（SK hynix）宣布，其用于高带宽存储器（HBM）模块的混合键合封装技术已实现良率提升。混合键合技术让存储芯片制造商无需依赖凸块，即可直接将存储层键合在一起。这种直接接触方式可实现更高速度，并通过降低发热量来提升效率。据The Elec报道，SK海力士（SK hynix）技术负责人金钟勋（Kim Jong-hoon）在韩国举行的“超越HBM——先进封装核心技术：从下一代基板到模块”会议上透露了这一进展。
最新封装技术将应用于下一代HBM4存储芯片
高带宽存储器通过将多个存储芯片垂直堆叠，再组装成最终封装。堆叠这些芯片通常需要借助凸块进行连接，目前存储芯片通常采用8层或12层堆叠。然而，为提升速度、性能和容量，下一代存储器模块（如HBM4和HBM5）需要更多层数。同时，为满足空间限制，封装尺寸也必须保持不变。因此，混合键合技术通过移除连接存储芯片的凸块，使存储器制造商能够在尺寸相近的封装中堆叠更多层。
SK海力士（SK hynix）的公告标志着HBM市场的重大进展
据The Elec报道，SK海力士（SK hynix）技术负责人金钟勋（Kim Jong-hoon）在首尔举行的“超越HBM——先进封装核心技术：从下一代基板到模块”会议上透露，其公司已成功验证了一个通过混合键合技术键合12层存储芯片的HBM堆叠。金钟勋（Kim Jong-hoon）补充道：“我们目前正在努力将良率提升到适合量产应用的水平。我们无法透露具体的良率数据，但准备工作比过去要完善得多。”
在混合键合技术可用之前，SK海力士（SK hynix）将继续采用先进底部填充技术
在开始生产采用混合键合技术的存储芯片之前，SK海力士（SK hynix）计划继续使用其大规模回流模塑底部填充（MR-MUF）技术。与混合键合技术一样，MR-MUF也旨在减少存储芯片之间的间隙，但与混合键合技术不同，它仍使用铜凸块。不过，该技术需要将整个堆叠加热，然后在芯片之间填充底部填料。
虽然HBM存储芯片通常用于企业计算和高负荷工作场景，但混合键合技术也能通过性能提升为消费者带来优势。与此同时，由于数据中心市场需求旺盛，导致供应紧张，这些芯片可能价格昂贵且供应短缺。
