英伟达（NVIDIA）将继续使用HBM，高带宽闪存（HBF）尚未列入考虑，但计划于今年晚些时候提供样品。高带宽闪存（HBF）是一种比HBM容量更大的内存，英伟达（NVIDIA）不会采用该技术，而谷歌（Google）将成为其主要客户。
随着近期人工智能（AI）的推动，NAND DRAM得到了广泛应用。虽然主要用于存储（如固态硬盘SSD），但新兴的闪存技术可能会在下一代NAND DRAM技术，即高带宽闪存（HBF）中发挥重要作用，该技术填补了HBM与NAND闪存之间的空白。
闪迪（SanDisk）和SK海力士（SK Hynix）正在联合开发HBF，它将采用与HBM类似的架构层级，即堆叠多层NAND闪存。每一层都将通过多个硅通孔（TSV）连接，将所有NAND封装融合成一个单一堆叠。目前，每堆叠HBM的容量为32-64 GB，而HBF的容量可扩展至4 TB。
在速度方面，HBM更快，但通过架构优化，HBF能够为关键的AI任务提供足够的吞吐量。HBF标准非常适合推理工作负载，在当前因自主人工智能（Agentic AI）激增而日益重要的背景下，这一点尤为关键。更高的容量还能缓解主计算芯片在一些KV高速缓存约束上的问题。
英伟达（NVIDIA）似乎仍然对HBF不感兴趣，其观点是HBF的高带宽可以通过eSSD充分满足。近期有报道称，闪迪（SanDisk）已发出与HBF相关的采购订单，且据信闪迪（SanDisk）正在与客户洽谈。
尽管HBF听起来前景广阔，但行业消息人士指出，英伟达（NVIDIA）近期并不打算采用这种新型DRAM技术，因为它认为eSSD可以解决容量和速度方面的限制。据悉，英伟达（NVIDIA）正在与铠侠（Kioxia）合作，生产比标准设计快100倍的PCIe Gen7固态硬盘。
截至目前，SK海力士（SK Hynix）在HBF的开发中处于领先地位，首批样品计划于今年下半年推出。
据报道，谷歌（Google）将成为HBF的主要客户，计划为其快速扩展的AI项目获取这项技术。谷歌（Google）的TPU生态系统正在加速发展，并且他们正在通过多个正在研发的下一代TPU解决方案来扩展其计算能力。HBF是否会成为一种突出应用尚有待观察，但除了替代HBM之外，它还有一个巨大的应用场景，那就是替代标准的DDR内存。
随着CPU成为AI领域的新瓶颈，服务器已开始扩大LPDDR的使用。这导致对LPDDR5和LPDDR5X内存（尤其是SOCAMM2）的需求大幅增长。通过HBF的多层堆叠方法，芯片制造商和AI生态系统供应商不仅能够减少PCB占用空间，还能在保持较低功耗和高带宽吞吐量的同时，增加更多容量。
