据媒体报道，三星（Samsung）已生产出全球首款采用10纳米以下工艺技术的“独立式”DRAM模块。这项全新的10纳米以下DRAM技术将提升芯片密度，并采用新材料。
长期以来，DRAM行业一直依赖10纳米级工艺技术。10纳米DRAM技术涵盖1x、1y、1z、1a、1b、1c和1d等多个节点。如今，三星正致力于开发全新的10a工艺，用于DRAM生产，该技术突破了官方定义的“10纳米”工艺极限。
三星电子（Samsung Electronics）已生产出全球首款个位数纳米级DRAM工作晶片。据报道，该公司计划基于该晶片，通过调整工艺条件来快速提升良率。
据行业消息人士2月24日透露，三星电子上月在使用10a工艺生产晶圆后，在检查晶片特性的过程中确认了一个工作晶片。这是4F方形单元结构和垂直沟道晶体管（VCT）工艺首次应用取得的成果。
据分析，采用10a工艺后，制程将缩小至9。5纳米至9。7纳米，使其成为业界首个10纳米以下工艺技术。实现这一新技术的关键变革在于4F方形单元结构和垂直沟道晶体管（VCT）工艺。
三星预计将于今年完成采用这些变革的10a DRAM的开发，量产时间定在2028年。这种新结构将首先应用于10a代产品，并将在10b和10c代产品中进一步优化。10d代DRAM将转向3D DRAM技术，预计于2029年至2030年推出。
目前，DRAM产品采用6F结构，构成尺寸为3Fx2F的矩形单元。采用4F结构后，可得到更接近正方形的2Fx2F结构。仅通过将结构改为4F，DRAM制造商就能将每个IC的单元密度提升30%至50%，这不仅提供了更高的容量，还有助于降低功耗。此外，新型DRAM还将采用新材料，例如铟镓锌氧化物（IGZO），取代此前产品使用的硅。采用IGZO材料后，在更窄的单元中漏电更少，从而确保数据保持能力。
值得注意的是，三星的竞争对手，如美光（Micron），目前正在暂缓其4F计划，将转而等待3D DRAM。而无法获得先进光刻设备的中国制造商将在生产3D DRAM时面临困难。不过，由于3D DRAM的设计可能与3D NAND相似，这给中国制造商带来了一些希望。与此同时，3D DRAM的开发正在加速，多家公司正致力于这项技术，以满足人工智能领域日益增长的需求。
