三星通过在其 Exynos 2600 芯片中引入新型散热片，实现了性能的代际飞跃，显著提升了热稳定性。在此基础上，三星计划为即将推出的 Exynos 2700 芯片采用创新的并排（SBS）架构与更精良的散热片，以此延续这一良好势头，并带来内存带宽的大幅提升。
三星正寄望于全新的 SBS 架构和优化的散热片，来增强其下一代 Exynos 2700 芯片的实际性能表现。
Exynos 2700 芯片预计将采用三星的 SF2P 工艺，这是 Exynos 2600 所使用的 2 纳米 GAA 工艺的下一代迭代。全环绕栅极（GAA）是一种三维晶体管架构，其栅极从四个方向完全包裹住由垂直堆叠纳米片构成的沟道，从而实现了更优的静电控制和更低的电压阈值。因此，三星的新 SF2P 工艺相比上一代 SF2 节点，整体性能有望提升 12%，总能耗则降低 25%。
尽管如此，Exynos 2700 芯片最重大的变化预计将集中在布局上。Exynos 2600 采用类似三明治的设计：RAM 堆叠在 SoC 之上，而一个铜基散热片（称为散热路径块或 HPB）则位于 RAM 上方。虽然这种设计具有较高的热效率，但仍会将热量困在 SoC 与 RAM 之间。
然而，对于 Exynos 2700 芯片，三星计划利用其扇出型晶圆级封装（FOWLP）技术，将 RAM 与 SoC 并排放置，并在晶圆级别上完成整合。这一架构带来了多重优势。首先，由于互连距离大幅缩短，内存带宽预计将提升约 30% 至 40%，同时能效也得到改善。此外，HPB 散热片可以同时覆盖 SoC 和 RAM，从而显著改善芯片的热稳定性。
CPU 热节流结果显示，Exynos 2600 比骁龙 8 Elite Gen 5 更稳定，两组结果数据均来自三星 One UI 系统。
由此可见，Exynos 2600 芯片在热稳定性方面已经优于高通的骁龙 8 Elite Gen 5 芯片。随着三星为下一代 Exynos 2700 芯片带来的技术创新，这一令人瞩目的领先优势预计将进一步扩大。
