英特尔宣布，其与软银子公司SAIMEMORY共同开发的ZAM内存项目已获得日本的重大推动。
日本加速由英特尔与软银发起的内存革命ZAM的3.5年开发计划。在最新的发布会上，英特尔日本株式会社（英特尔 K.K.）与软银子公司SAIMEMORY透露，日本NEDO（新能源产业技术综合开发机构）现已选定ZAM——一种被视为HBM替代品的新一代内存标准。
随着ZAM被NEDO选定，该项目将通过政府补贴获得资助，从而加速开发，以解决AI和HPC领域内存短缺的关键市场限制。
ZAM项目最初于今年2月提出，当时英特尔与软银合作，旨在设计出解决持续内存危机的方案。成果便是ZAM，即Z-Angle Memory，其设计目标是提供高密度、高带宽和低功耗。在新项目下，ZAM还将利用日本及国际的技术、制造和供应链合作伙伴网络，以支持其整体开发和规模化商业化。
“英特尔花费多年时间，从美国能源部国家实验室到我们的下一代DRAM键合计划，均验证了ZAM背后的科学原理。我们相信，这一奖项将使这项工作快速迈向全球部署，并加强那种在未来几年至关重要的美日技术合作伙伴关系。” 英特尔日本株式会社总裁大野诚（Makoto Ohno）表示。
深入技术层面，英特尔 ZAM（Z-Angle Memory）旨在实现40%至50%的功耗降低，简化设计以便于制造，以及每芯片高达512 GB的密度。每个Z-Angle内存堆栈将由紧密堆叠的DRAM集成电路层组成，每层通过Z-Angle互连连接。每个堆栈将通过基础裸片下的EMIB连接到主计算芯片。
ZAM的推出将是英特尔几十年来首款内存产品。在其早期，英特尔是内存制造行业的重要参与者，但最终被日本供应商挤出市场；而现在，日本公司正在帮助ZAM成为现实。
