大规模的AI周期促使台积电等半导体巨头投入数十亿美元建设基础设施，但这仍不足以满足需求。台积电表示，尽管投入数十亿美元建设新生产设施，仍无法满足AI需求。
本周早些时候，台积电在财报电话会议上宣布，其资本支出预计在2026年将达到560亿美元。这笔巨额资金将全部用于建设新的芯片制造设施，并升级现有生产线以扩大产能。
尽管投入了如此巨额的资金，台积电仍表示无法满足当前席卷科技行业各个领域的巨大AI需求。从GPU、CPU和内存等主要组件，到电压调节器、集成电路、线缆以及构建这些解决方案所需的材料等关键电气设备，目前都处于短缺状态。
随着英伟达（NVIDIA）、AMD、苹果（Apple）等大客户持续追加晶圆订单，台积电预计短缺情况将持续到2027年，而不仅仅是2026年。台积电目前正计划在全球范围内投资建设一系列设施，涵盖日本、台湾和美国等地，这些地区将建设3纳米芯片制造工厂。台湾工厂预计在2027年上半年投入运营，而美国工厂则将在2027年下半年准备就绪。与此同时，日本的一家工厂计划在2028年开始生产。
“除了所有新工厂，我们还在台湾将5纳米工具转为支持3纳米产能。我们也在利用我们的制造优势，提高所有工厂的生产效率，以产出更多晶圆。我们还专注于各节点间的产能优化，这包括在N7、N5和N3节点之间提供灵活的产能支持。因此，我们正在利用多种手段，尽一切可能，在任何地方，以任何方式，最大限度地支持我们所有平台上的客户。同时，请允许我强调，虽然产能紧张，但我们不会在客户之间挑挑拣拣或偏袒任何一方。”——魏哲家（C.C. Wei），台积电总裁兼首席执行官。
台积电首席执行官魏哲家（C.C. Wei）表示，虽然他们尚未增加现有工厂的额外产能，但一旦某个节点达到最大产能，情况将发生改变，因为现有工厂将进行升级，以补充日益增长的产能需求。由于台积电因供应受限而承压，供应商已开始分散其芯片制造计划。
“根据我们的评估，为了满足AI应用的强劲需求，我们正在加大资本支出投资，以增加我们的N3产能。因此，我们正在执行一项全球产能计划，以支持3纳米技术未来多年的强劲需求管道，这些技术服务于智能手机、高性能计算/AI（包括HBM基础芯片）、汽车和物联网客户。在台湾，我们正在台南科学园区的GIGAFAB集群中新增一座3纳米工厂，量产时间定于2027年上半年。在亚利桑那州，我们的第二座工厂也将采用3纳米技术，该工厂已建设完成，量产将于2027年下半年开始。在日本，我们计划在第二座工厂中采用3纳米技术，量产时间定于2028年。”——魏哲家（C.C. Wei），台积电总裁兼首席执行官。
特斯拉（Tesla）正同时与台积电和三星（Samsung）合作开发其下一代AI芯片，同时也在筹备与英特尔（Intel）的Terafab合作项目。有传言称，英特尔（Intel）可能在今年年底前凭借其14A制程技术赢得一些重要客户。三星（Samsung）也看到排队使用其代工服务的客户数量大幅增加，但其核心重点目前仍放在DRAM生产上，例如HBM和LPDDR，这些产品由于智能体AI的兴起而备受关注。
台积电如何驾驭这轮AI超级周期，将是一件有趣的事情，因为目前每家大型科技公司都面临着各自的供应问题。作为全球最大的半导体制造商，台积电肩负重任，其在新建工厂上的额外投入应该能带来一些缓解。
