中国本土内存制造商正竞相生产HBM芯片，但最大的DRAM厂商却在HBM3技术上遭遇阻碍。据传长鑫存储（CXMT）在HBM3研发方面面临困境，已将该项目推迟至2026年下半年，这引发了对中国本土AI市场的担忧。
中国的AI市场正以惊人的速度蓬勃发展，华为及其他多家芯片制造商引领着这一趋势。尽管在先进芯片生产方面面临严格禁令，AI市场依然坚挺，本土DRAM制造商现在正对首批HBM3解决方案进行样品测试，这些方案将与最新的AI芯片配套使用。
在Semicon China 2026展会上，中国供应商展示了其最新的DRAM技术。其中，长电科技（JCET）推出了基于2.5D堆叠技术的HBM3e封装解决方案。该DRAM旨在实现每堆叠960 GB/s的带宽，并且互连密度相比前代产品提升了20%。
长电科技的问题不在于设计，而在于其缺乏制造能力。因此，他们只能将技术外包进行生产。
中国领先的DRAM制造商长鑫存储在HBM3生产方面也遇到了自身瓶颈。长鑫存储的HBM3内存是其第四代HBM解决方案，最初计划于2026年上半年推出，但该DRAM制造商至今尚未下达任何量产订单。
一位半导体行业消息人士解释道：“长鑫存储的技术进步很快，但HBM3的量产时间表却一再推迟。从开发进度来看，今年内实现量产似乎不太可能。”
据业内人士透露，长鑫存储的HBM3内存仍处于测试阶段。甚至HBM3所需的供应品目前也仅能满足样品试生产，而非量产。一些人甚至指出，尽管长鑫存储在HBM领域取得了快速进展，但其HBM3解决方案不太可能在今年内准备就绪。
全球DRAM供应商已争相投入HBM4内存的量产，并正加速推进HBM3E解决方案，以用于下一代AI数据中心。HBM4将在即将推出的数据中心芯片中发挥关键作用，例如英伟达（NVIDIA）的Vera Rubin和AMD的MI400，这两款产品预计都将于今年晚些时候面世。
中国HBM3生产的延迟将为本土AI芯片制造商（如华为）带来暂时的瓶颈。他们将不得不依赖外部解决方案，或者推迟其下一代产品的发布，直到长鑫存储等厂商开始量产。
